Рост - коэффициент - отражение
Cтраница 1
Рост коэффициента отражения в длинноволновой области вызван, по-видимому. Для сравнения приведена кривая 7, имеющая подъем в той же области, где наблюдается рост коэффициента отражения твердых растворов. Эта точка зрения подтверждается также тем фактом, что с увеличением концентрации селенида в растворе этот рост проявляется резче. Порошки, прошедшие термообработку ( длительный отжиг при температуре 300 - 500), такого роста не имеют. Можно полагать, что непрореагировавший селен при термообработке возгоняется. [2]
Многие кристаллические материалы обладают избирательным отражением при определенных длинах волн из-за роста коэффициента отражения от 5 до 90 % в узком участке спектра. Такое избирательное отражение обеспечивает фильтрующий эффект. После многократных отражений на приемник фокусируется излучение только в том участке спектра, где коэффициент отражения велик. Излучение с другими длинами волн рассеивается, поглощается, проходит через отражающие покрытия. [3]
Найденное отношение зависит только от () зер, уменьшаясь с ростом коэффициента отражения. [4]
Спадание фотоэффекта в сторону коротких волн зависит, помимо уменьшения интенсивности падающего света, также от роста коэффициента отражения с приближением к области сильного поглощения. При еще более коротких волнах рост коэффициента поглощения продолжает расти и отражение становится таким, какое характерно для металлов. [5]
Из формул ( 21) и ( 22) следует, что с уменьшением диаметра дисперсных частиц время сепарации увеличивается; к возрастанию времени сепарации ведет также рост коэффициента отражения частиц. Напротив, увеличение угловой скорости вращения газового потока приводит к уменьшению времени сепарации. [6]
Однако ситуация изменяется с ростом фазового набега. Рост коэффициента отражения RPC для сред с локальным откликом происходит пропорционально квадрату тангенса фазового набега y l, в то время как для нелокального отклика - пропорционально квадрату гиперболического тангенса у 1, т.е. значительно медленнее. [8]
 |
Зависимость интенсивности в полосах интерференции от разности хода при разных значениях R ( / о 1. [9] |
Важное значение имеет вопрос об интенсивности проходящего через эталон света. По мере роста коэффициента отражения R интенсивность максимумов остается в отсутствие поглощения постоянной и равной интенсивности падающего пучка при любом значении R. Увеличение R крайне важно в том отношении, что оно увеличивает контрастность интерференционной картины, т.е. снижает минимумы при неизменных максимумах. При наличии поглощения интенсивность в максимуме снижается. [10]
 |
Зависимость интенсивности в полосах интерференции от разности хода при разных значениях R ( / 01. [11] |
Важное значение имеет вопрос об интенсивности проходящего через эталон света. По мере роста коэффициента отражения R интенсивность максимумов остается в отсутствие поглощения постоянной. [12]
Рост коэффициента отражения в длинноволновой области вызван, по-видимому. Для сравнения приведена кривая 7, имеющая подъем в той же области, где наблюдается рост коэффициента отражения твердых растворов. Эта точка зрения подтверждается также тем фактом, что с увеличением концентрации селенида в растворе этот рост проявляется резче. Порошки, прошедшие термообработку ( длительный отжиг при температуре 300 - 500), такого роста не имеют. Можно полагать, что непрореагировавший селен при термообработке возгоняется. [13]
При измерении отражения от монокристаллов селенида мышьяка в той же области энергий обнаруживаются всего три размытых максимума при 1350, 1950, 2200 А. Наконец, спектры отражения поликристаллов теллурида мышьяка представляют в исследуемой области энергий всего два довольно широких пика при 1400 и 1900 А. Начиная от 2100 А наблюдается рост коэффициента отражения, который, как явствует из работы [4], продолжается до 4000 А. [14]
 |
Спектральное распределение эффективного квантового выхода Au - ra - Si-фотодиодов ( приведено к числу падающих фотонов. [15] |
Страницы: 1 2