Рост - коэффициент - поглощение
Cтраница 1
Рост коэффициента поглощения в области низких энергий обусловлен внутризон-ными переходами в пределах валентной зоны. Положение края полосы поглощения почти не зависит от концентрации дырок. Переходы L 3 - L3 из-за спин-орбитального расщепления представляют собой дублеты. Индентифицированные энергии переходов приведены в табл. 11.16. В переходах Х4 - Х1 в GaSb, InSb и InAs открыта тонкая структура. [1]
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупроводнике. При резком увеличении коэффициента поглощения с уменьшением длины волны падающего света, например в германии, положение максимума определяется шириной запрещенной зоны ( A 1Ila) i - - 1 55 мкм) и практически не зависит от толщины базы. [2]
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупроводнике. При резком увеличении коэффициента поглощения с уменьшением длины волны падающего света, например в германии, положение максимума определяется шириной запрещенной зоны ( Я тах 1 55 мкм) и практически не зависит от толщины базы. [3]
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупроводнике. При резком увеличении коэффициента поглощения с уменьшением длины волны падающего света, например в германии, положение максимума определяется шириной запрещенной зоны ( Ат 1 55 мкм) и практически не зависит от толщины базы. [4]
Некоторые результаты представлены на рис. 6.11. Частота излучения лазера aL уменьшается с ростом коэффициента поглощения для слабого сигнала, как это видно на рис. 6.11, а, что соответствует экспериментальным наблюдениям. Рассчитанная кривая зависимости дисперсионного параметра г от х0 и WL, как следует из рис. 6.11, б, имеет при определенных значениях х0 и coz, экстремумы. [5]
Спадание фотоэффекта в сторону коротких волн зависит, помимо уменьшения интенсивности падающего света, также от роста коэффициента отражения с приближением к области сильного поглощения. При еще более коротких волнах рост коэффициента поглощения продолжает расти и отражение становится таким, какое характерно для металлов. [6]
Небольшая фотопроводимость при hvEg наблюдается вследствие тепловых колебаний кристаллической решетки, которые обусловливают флуктуации энергии электронов и ширины запрещенной зоны. Хотя с ростом hvEg фотопроводимость согласно (2.10) должна увеличиваться, практически она имеет максимум, а затем уменьшается. Причина этого заключается в уменьшении эффективного времени жизни с ростом коэффициента поглощения. [7]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода и его спектральная характеристика. [8] |
Если конструкция фотоэлемента подобна изображенной на рис. 2.15, то для излучения в интервале Eg Qa. Eg GaAs свет проходит через слой GaAs и поглощается в прилегающем к нему слое Ge. С ростом частоты hv - Eg GaAs свет поглощается в GaAs, а при дальнейшем увеличении частоты, из-за роста коэффициента поглощения, поглощение происходит ближе к внешней поверхности ар-сенида галлия, вследствие чего фототок уменьшается, как и в обычном фотодиоде. Таким образом, гетеропереход может иметь спектральную характеристику более широкую, чем гомопереход. [9]
 |
К объяснению свечения плазмы. [10] |
Все причины, приводящие к уширению спектральных термов, вызывают одновременное уширение как линий испускания, так и линий поглощения. Следствием этого будет большее относительное поглощение в максимуме линии, чем на ее краях - форма линии будет изменяться так, как показано на рис. 5, и ширина ее с ростом коэффициента поглощения или толщины плазмы будет возрастать. [11]
Страницы: 1