Рост - кристаллик
Cтраница 2
 |
Сечение слитков сплава А1 - Mg. й-перед обработкой, б-после обработки ультразвуком в течение 1 часа. [16] |
В этом случае в узлах стоячей волны возможны как зарождение, так и рост уже образовавшихся кристалликов. Дополнительные центры кристаллизации могут появляться еще и за счет поперечных колебаний стенок сосуда, в котором находится расплавленный металл. Немаловажную роль могут играть силы трения между расплавом и уже выпавшими игольчатыми кристаллами ( особенно для сплавов с дендритной структурой), приводящие к разламыванию этих кристаллов и, соответственно, к измельчению структуры сплава. [17]
При получении коллоидной системы скорость образования зародышей 1 должна быть велика, а скорость роста кристаллика и2 мала, так как лишь в этом случае образуется множество кристал-ликов, каждый из которых соответствует коллоидным размерам. Наоборот, если скоресть и мала, а скорость г велика, то все выделившееся вещество отложится на небольшом числе зародышей и в результате образуется сравнительно небольшое количество крупных кристаллов. [18]
При получении коллоидной системы скорость образования зародышей 1 должна быть велика, а скорость роста кристаллика % мала, так как лишь в этом случае образуется множество кристалликов, каждый из которых соответствует коллоидным размерам. Наоборот, если скорость и мала, а скорость и2 велика, то все выделившееся вещество отложится на небольшом числе зародышей и в результате образуется сравнительно небольшое количество крупных кристаллов. [19]
При получении коллоидной системы скорость образования зародышей 1 должна быть велика, а скорость роста кристаллика и2 мала, так как лишь в этом случае образуется множество кристал-ликов, каждый из которых соответствует коллоидным размерам. Наоборот, если скоресть и мала, а скорость г велика, то все выделившееся вещество отложится на небольшом числе зародышей и в результате образуется сравнительно небольшое количество крупных кристаллов. [20]
Важную роль в процессе образования осадка играет соотношение скорости возникновения центров кристаллизации и скорости роста кристалликов. Если скорость образования центров кристаллизации большая, а рост кристаллов идет медленно, получают мелкодисперсный осадок. Если, наоборот, скорость возникновения зародышей кристаллов низка, а кристаллы растут быстро, получают крупнокристаллический осадок. [21]
В результате этих процессов образования и роста частиц карбидов вновь создаются условия для возникновения новых и роста имеющих кристалликов ( пластинок) феррита. [22]
Кроме того, поверхностно-активные вещества ( как стабилизаторы, так и не обладающие стабилизирующим действием) могут модифицировать зарождение и рост кристалликов новой фазы. Прежде всего они замедляют развитие центров кристаллизации, образовывая на их поверхности адсорбционные слои. Это в свою очередь может благоприятствовать образованию тонкодисперсных структур срастания ( прорастания), улучшая качество цементного камня в строительных растворах и бетонах. [23]
Величина поверхности сложной системы определяется энергией решетки образующегося соединения: чем больше энергия решетки и, следовательно, ее стабильность, тем больше скорость роста кристалликов и меньше степень дисперсности. Поэтому характер влияния второго компонента на дисперсность исходного окисла обусловлен влиянием его на энергию решетки продукта их взаимодействия: если при введении второго компонента энергия решетки понижается, то фаза становится менее стабильной и степень дисперсности, а соответственно и величина поверхности возрастают. [24]
Существенно, что как химическая, так и физическая теории строения мицеллы приводят к одним и тем же выводам, а именно к тому, что ионы электролита - стабилизатора препятствуют даль-нейшему росту кристаллика, сообщают ему заряд и тем самым способствуют агрегативной устойчивости коллоидной системы. [25]
Обратный плавлению процесс - кристаллизация - сопровождается выделением теплоты плавления. Рост кристалликов происходит вокруг зародышей, или центров, кристаллизации, которыми могут служить взвешенные в жидкости твердые частицы. Тщательно очищенную от зародышей кристаллизации жидкость можно охладить ниже температуры плавления. Если в нее попадет частица, способная стать центром кристаллизации ( например, пылинка), то обычно жидкость быстро кристаллизуется, причем температура ее повышается до равновесной температуры. [26]
СУСПЕНЗИИ ( взвеси) - дисперсные системы, в к-рых дисперсная фаза является твердой, а дисперсионная среда - жидкостью. Если рост кристалликов заканчивается на стадии коллоидной дисперсности, образуется коллоидный раствор - золь. При дальнейшем их росте возникает С. [27]
 |
Кривые интенсивности ( а и радиального распределения ( б для аморфного сплава Pde Si2, . [28] |
Из анализа ФРР заключают, что аморфные пленки сплава состоят из очень мелких кристалликов ГЦК - и ОЦК-фаз. Отжиг вызывает рост кристалликов. Сплавы с различным отношением Ni - Cr согласуются с фазовыми диаграммами для массивных металлов. [29]
Содержание Fe2O3 в наружных слоях было значительно большим, чем в глубинных. По-видимому, рост кристалликов Fe2O3 в первых был облегчен наличием их в поверхностном слое расплава. [30]
Страницы: 1 2 3 4