Рост - кристаллит
Cтраница 3
Если образование центров кристаллизации и рост кристаллитов нельзя изучать раздельно, то можно проследить за интегральным эффектом превращения аморфного материала в кристаллический с помощью какого-либо метода, позволяющего определить степень кристалличности. Например, можно проводить измерения удельного объема, поместив кристаллизующийся образец в дилатометр. [31]
При ввобе в катализатор рения рост кристаллитов платины сокращается, что очевидно, связано со способностью рения образовывать с платиной сплавы, обладающие большей стойкостью, чем чистая платина. [32]
 |
Изменение средней линейной скорости роста по длине кристаллитов при различных скоростях автосварки под флюсом. [33] |
Как следует из распределения скоростей роста кристаллитов в сварочной ванне, диффузионная кристаллизация ( при ик 1 10 - 3 см / мин илиук0 2 - Ш-4 см / сек) происходит в небольшой части объема ванны вблизи границы сплавления, а в центре преобладает бездиффузионная кристаллизация. Распределение ликвирую-щих примесей в закристаллизовавшемся металле шва будет рассмотрено в следующем параграфе. [34]
Если кристаллизующийся каучук подвергнуть ориентации, рост кристаллитов происходит быстрее, степень кристалличности полимера возрастает и кристаллиты располагаются в направлении ориентации. [35]
 |
Зависимость линейной Роста кристалла растет быстрее, чем скорости роста кристалла ир. к ЧИСЛО ЦбНТрОВ КрИСТаЛЛИЗЭЦИИ, ТО. [36] |
Достигнув максимума, скорости зарождения и роста кристаллитов начинают снижаться, так как подвижность атомов с понижением температуры понижается. [37]
При блестящем цинковании из цианистых электролитов упорядоченный рост кристаллитов наступает лишь при одновременном выделении водорода ( см. стр. Присадки, которые препятствуют выявлению текстуры, также мешают образованию блестящих покрытий. Однако необходимо отметить, что рост кристаллов по типу г не является общепринятым предварительным условием для появления блестящего покрытия. Согласно Кларку и Симонсену, можно установить у глянцевых покрытий также и отсутствие текстуры. [39]
С ростом температуры обработки должен ускоряться рост кристаллитов никеля на поверхности stO, и А1203, что в свою очередь должно приводить к увеличению числа шесги-центровых групп. [40]
В результате остается связывать лимитирование высоты роста кристаллитов на щелочно-галоидных подложках с характером затухания поля дальнодействующих ионных сил. В работах [52-55, 63] есть указания на существенно дальнодейству-ющий характер поля сил ионных поверхностей. Дистлера [54, 63] и Дарлинга [64] по декорированию таких поверхностей слоями аморфных веществ показали, что эпи-таксиальная кристаллизация стимулируется такими подложками даже при покрывающем поверхность слое аморфного вещества примерно до 1500 А. [41]
Согласно [50], колебания скорости объясняются стадийным ростом кристаллитов графита, слагающих углистое вещество, причем предполагается, что разрастание молекул, карбоида по дери-ферии - медленный процесс, а образование, каждого нового слоя в кристаллите - быстрый процесс. [42]
Модификаторы могут вызвать дополнительные пространственные затруднения для роста кристаллитов. [43]
Независимо растущих кристаллитов и учитывает снижение скорости роста кристаллитов за счет частичного смыкания их границ. В результате решения этого уравнения найдена функция распределения кристаллитов по размерам, которая в свою очередь, позволяет вычислить в зависимости от времени число кристаллитов и их суммарный периметр в расчете на единицу поверхности, степень заполнения поверхности, а также время формирования слоя кристаллитов, их средний размер и снижение скорости роста кристаллитов. [44]
С повышением температуры обработки, по мере роста кристаллитов и уменьшения доли неупорядоченной фазы, углеродистый материал приближается по своей структуре к структуре совершенных кристаллов графита, у которых валентная зона целиком заполнена. Поскольку уровень Ферми расположен внутри пи-зоны, то электронный газ до определенной температуры может находиться в вырожденном состоянии. [45]
Страницы: 1 2 3 4