Рост - напряжение
Cтраница 4
С ростом напряжения на структуре линейньщ участок расширяется. Чувствительность структуры к возбуждающему излучению составляет 1 35 - [ О7 Дж - - см ( по изменению фазы света на л для 5-эффекта) и совпадает с рассчитанной по вольт-амцерным характеристикам. [46]
С ростом напряжения их габариты увеличиваются и при 500 кВ достигают высоты многоэтажного дома. К таким аппаратам относятся высоковольтные разрядники и предохранители, выключатели, трансформаторы тока и напряжения, реакторы. [47]
 |
Зависимости времени задержки включения тиристора t3 и времени накопления критического заряда н от тока / с.| Зависимость времени задержки включения тиристора от напряжения в закрытом состоянии. [48] |
С ростом напряжения в закрытом состоянии эффективные толщины базовых слоев тиристора уменьшаются. [49]
С ростом напряжения его разрушающее действие увеличивается, однако развивающаяся одновременно ориентация макромолекул приводит к упрочнению полимера, что затрудняет его дальнейшее разрушение. [50]
 |
Вольтамперные характери - 4 стики ЛПД в прямом направ - рисз лении. [51] |
С ростом напряжения дифференциальное сопротивление диодов этой группы уменьшается. [52]
 |
Изменение напряжения и тока в низковольтной искре. [53] |
С ростом напряжения на конденсаторе основного контура накапливается энергия, необходимая для разряда. Как только напряжение на С2 достигнет напряжения пробоя, в контуре активизатора возникает ток высокой частоты и высокого напряжения, но малой мощности. Посредством повышающего трансформатора Т2 ток высокого напряжения передается в основной контур. [54]
С ростом напряжения процентное содержание высших гармоник несколько возрастает. [55]
С ростом напряжения t / 3n TOK стока / с уменьшается, а не увеличивается, как в МДП-транзнсторе. [56]
С ростом напряжения f / кэ увеличивается коэффициент передачи р ( см. рис. 4.12), а так как ток базы должен поддерживаться постоянным, то необходимо увеличивать ток эмиттера за счет увеличения напряжения L / БЭ - Таким образок, при увеличении обратного напряжения на коллекторном переходе в схеме ОЭ ( / Б const) прямое напряжение на эмит-терном переходе растет, а в схеме ОБ ( / const) - уменьшается. По абсолютному значению коэффициенты обратной связи приблизительно одинаковы. [57]
С ростом напряжения в стабилитроне VDt происходит пробой, транзистор VTI открывается. [58]
С ростом напряжения механическая долговечность экспоненциально уменьшается, она зависит также от температуры и свойств материала. [59]
 |
Зависимости плотности распределения р, ( ф меры микроповреждений от номинального напряжения о ( а и числа структурных элементов N ( в. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5