Рост - напряженность - поле
Cтраница 3
Смещение электронов в сторону анода приводит к образованию у границы термоионизованной области избыточного положительного заряда и, следовательно, к росту напряженности поля до тех пор, пока не начинается развитие от границы термоионизованной области нового стримера. Процесс развития искрового канала продолжается таким образом до тех пор, пока последовательно развивающиеся стримеры не достигают второго электрода, после чего устанавливается сквозной поток электронов через разрядный промежуток. [31]
Кривая изменения магнитной проницаемости [ ir для ферромагнитного материала дана на том же рис. 6.2. Как видно из графика, магнитная проницаемость с ростом напряженности поля изменяется в весьма широких границах, что затрудняет ее применение для расчетов. [32]
При увеличении разности потенциалов между электродами сверх начальной разряд получает возможность развиваться; область коронирующего слоя расширяется, и сила разрядного тока увеличивается, пока одновременно имеющий место рост напряженности поля во внешней области вновь не сбалансирует, это увеличение. При том напряжении, наложенном на разрядный промежуток, при котором область ионизации - коронирующий слой - доходит до противоположного электрода ( если он не ко-ронирует) или до коронирующего слоя у второго электрода, исчезает причина, ограничивающая возрастание у - с увеличением тока. [33]
 |
Общие признаки стеклообразующих частиц.| Кристаллиты и стекловидная структура ( схема. [34] |
Стеклообразующая способность уменьшается: с ростом содержания щелочных металлов, т.е. с повышением доли кислородных ионов и увеличением частоты разрывов мостиков кремний - кислород - кремний; с ростом напряженности поля катионов; при составах соединений, близких к стеклометрическим. [35]
Это доказательство не является все же вполне строгим, так как мы предполагали, что различие в рядах сродства при переходе от сильноосновных анионитов к слабоосновным обусловлено исключительно ростом напряженности поля обменных групп. Следует, однако, отметить, что использование ( вместо трехосновного сульфата свинца) бензоата натрия, тиоцианата натрия и нитрита натрия привело к значениям рН 11 30; 11 20 и 10 34 соответственно. Это показывает, что если даже ситовый эффект имеет место, он не препятствует повыщенйю рН при наличии большого термодинамического сродства. [36]
Это доказательство не является все же вполне строгим, так как мы предполагали, что различие в рядах сродства при переходе от сильноосновных анионитов к слабоосновным обусловлено исключительно ростом напряженности поля обменных групп. Следует, однако, отметить, что использование ( вместо трехосновного сульфата свинца) бензоата натрия, тиоцианата натрия и нитрита натрия привело к значениям рН 11 30; 11 20 и 10 34 соответственно. Это показывает, что если даже ситовый эффект имеет место, он не препятствует повышению рН при наличии большого термодинамического сродства. [37]
 |
Зависимость термического сопротивления обработанных в постоянном электрическом поле наполненных клеевых прослоек от напряженности поля при различных наполнителях. [38] |
Из результатов исследования термического сопротивления наполненных клеевых прослоек, обработанных в постоянном электрическом поле ( рис. 5 - 14), видно, что термическое сопротивление клеевых систем плавно снижается с ростом напряженности поля, причем наклон кривых R f ( E) более выражен для прослоек с медным порошком, что связано с протеканием пространственной ориентации частиц медного порошка. [39]
Василюнас высказал предположение, что решение, предложенное Соннерапом, тем не менее возможно в случае, если режим диффузного расширения, связанного с медленной модой, охватывает всю область втекания, обусловливая рост напряженности поля, уменьшение давления и расходимость потока по мере переноса поля внутрь области. [40]
Малышев [392] определили электропроводность стеклообразного аморфного селена при комнатной температуре в слабом электрическом поле, лежащей в пределах 10 - 12 до 10 - 13 ом 1 см 1 и установили, что с ростом напряженности поля электропроводность селена возрастает. Изменение проводимости неодинаково и зависит не только от формы селена и напряженности поля, но и от предыдущей обработки образца. [41]
 |
Зависимость коэффициентов ионизации электронов и дырок от напряженности поля в кремнии при комнатной температуре. [42] |
Сильная зависимость коэффициента от напряженности поля в области умножения проистекает от двух основных причин: существует положительная обратная связь между коэффициентом умножения и напряженностью поля из-за наличия двух типов носителей, которые могут ионизировать; скорость ионизации экспоненциально возрастает с ростом напряженности поля. Рассмотрим влияние положительной обратной связи. Если в область умножения инжектируется чисто электронный ток, то сначала первичные электроны генерируют вторичные пары. Вторичные электроны становятся неотличимыми от первичных. Вторичные дырки движутся в противоположном направлении и во время движения генерируют новые пары. [43]
R - 0 2 - 0 3 [16, 25], а при широком варьировании параметров осаждения и наличии частиц различных свойств - от r / R 0 1 вплоть до r / R 0 4 - 0 5; 2) с ростом напряженности поля Н, а согласно рис. 1.3 с уменьшением проницаемости ц значения r / R должны увеличиваться. [44]
Этот рост напряженности поля далеких зарядов как раз компенсирует ослабление поля точечных зарядов, лежащих вблизи точки О, происходящее при увеличении расстояния от пластины. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5