Cтраница 1
Рост образцов сменяется сжатием при температуре выше 250 - 300 С. Эти характеристики существенно отличают изотропный графит от анизотропных марок. [2]
Методика была основана на сравнении свободного роста образцов графита ГМЗ и роста образцов того же графита, подвергнутого растягивающей нагрузке. [3]
Рост слабый, спорангии темно-оливковые, по мере роста образца становятся серыми. [4]
Из приведенных данных видно, что влияние содержания кремния на рост образца зависит от режима обработки. [5]
Методика была основана на сравнении свободного роста образцов графита ГМЗ и роста образцов того же графита, подвергнутого растягивающей нагрузке. [6]
![]() |
Температурная зависимость термического. [7] |
Следует отметить, что в литературе [3] приводятся сведения: об остаточном росте образцов из шпинели, окиси алюминия и окиси магния без объяснения причин такого поведения. Исследования образцов из аналогичных материалов, проведенные в данной работе, свидетельствуют о линейном характере термического расширения и об отсутствии остаточных изменений линейных размеров. [8]
Приведенные в работе данные показывают, что при термо-циклировании кремнистых графитизированных сплавов на рост образца влияют не только конечная температура цикла и условия охлаждения, но и скорость нагрева. Для образцов с перлитной структурой при медленном нагреве с увеличением содержания кремния объемные изменения увеличиваются, а для образцов с исходной ферритной матрицей уменьшаются. В условиях медленного нагрева и медленного охлаждения высококремнистые чугуны показывают наибольшую ростоустойчивость. При других скоростях нагрева наиболее ростоустойчивыми могут оказаться малокремнистые сплавы. [9]
Для анизотропных зарубежных реакторных графитов ( табл. 4.13) свойственна высокая анизотропия размерных изменений. Облучение при температуре ниже 250 С графита марки CSF вызывает рост образцов, вырезанных перпендикулярно к оси продавливания, и сжатие - в параллельном направлении. Эффект радиационного формоизменения при повышении температуры облучения снижается. Выше 250 С перпендикулярно ориентированные образцы испытывают усадку. [11]
![]() |
Зависимость линей-ной скорости роста сшитого цис-1 4-поли - 2-метилбутадиена от тем. [12] |
Классическим способом сохранения деформации расплава в процессе кристаллизации является использование сшитых расплавов. Максимальная скорость роста сшитых макромолекул меньше, чем для несшитых, как и следовало ожидать при введении в макромолекулы некристаллизующихся сегментов ( разд. Уменьшение скорости роста сшитого образца до нуля при низких температурах объясняется его более высокой температурой стеклования. Деформация на 200 % увеличивает скорость кристаллизации в области высоких температур кристаллизации. [13]
Конструкция кассеты, изображенная на рис. 2.9, ж, применяется при исследовании предельных пластических деформаций графита в условиях длительно действующих нагрузок. В конструкции используется значительный радиационный рост тер-момеханически обработанного ( ТМО) графита. Методика основана на сравнении свободного роста образцов реакторного графита ( с гладкими головками) и роста образцов графита с резьбовой головкой, испытывающих растягивающие напряжения за счет большей скорости изменения размеров втулок из термомеханически обработанного графита. [14]
Конструкция кассеты, изображенная на рис. 2.9, ж, применяется при исследовании предельных пластических деформаций графита в условиях длительно действующих нагрузок. В конструкции используется значительный радиационный рост тер-момеханически обработанного ( ТМО) графита. Методика основана на сравнении свободного роста образцов реакторного графита ( с гладкими головками) и роста образцов графита с резьбовой головкой, испытывающих растягивающие напряжения за счет большей скорости изменения размеров втулок из термомеханически обработанного графита. [15]