Рост - монокристаллическая пленка
Cтраница 1
Рост монокристаллических пленок вообще связан со структурными лсфекгами, такими как дислокации, двойникова-ние и дефекты упаковки. Непосредственное наблюдение дает подробную информацию о природе и источниках таких дефектов. Эти сведения могут быть более подробными, если этот метод исследования совмещают с наблюдением муаровых картин, образовавшихся между пленкой и подложкой. В таких условиях адсорбция остаточных газов на подложке или на растущей пленке может оказывать основное влияние на характер зародышеобразования и рост тонких пленок. Следовательно, процесс жидкообразного срастания может быть подвержен влиянию остаточных газов, определяющих в значительной степени, окончательную структуру пленки. Это обусловливает необходимость электронно-микроскопических исследований в процессе роста пленок в условиях более высокого вакуума. Попа [252] и Вэлдре и др. [256] предложили видоизмененные камеры для образцов, в которых можно проводить осаждение в условиях сверхвысокого вакуума; о результатах их применения для изучения зародышеобразования и роста монокристаллических пленок не сообщалось. [1]
Рассматриваются некоторые вопросы кинетики роста монокристаллических пленок редкоземельных феррит-гранатов и их физические свойства. Приводятся условия, позволяющие получать пленки с воспроизводимыми свойствами. Исследуются: зависимость коэффициента распределения галлия, температурная зависимость основных магнитных параметров, подвижность доменных стенок и ЦМД, влияние дефектов на доменную структуру и зависимость диаметра ЦМД от поля смещения. [2]
 |
Структура пленки кремния, осажденной способом пиролитического разложения SiH4 на монокристалле кремния ( 100. [3] |
Часто высокая температура способствует росту монокристаллической пленки, поскольку это повышает степень подвижности атомов на поверхности подложки и тем самым определяет упорядоченность структуры. [4]
Теперь будут рассмотрены менее распространенные процессы роста монокристаллических пленок на монокристаллических и аморфных подложках. [5]
В настоящей работе рассматриваются некоторые вопросы кинетики роста монокристаллических пленок ферритов-гранатов и их магнитные свойства, а также взаимосвязь между ростовыми и магнитными параметрами. [6]
В данном разделе будут кратко рассмотрены некоторые основные процессы роста монокристаллических пленок на монокристаллических и аморфных подложках. [7]
Описанное выше взаимодействие газ-твердое тело может являться первой стадией роста ориентированной монокристаллической пленки одного материала на монокристаллической подложке другого материала. Этот процесс называется эпшпаксиалъным ростом. Примером его может служить образование ориентированного слоя окиси никеля на никеле. [8]
Захвзг атомов инертного газа растущей пленкой, получаемой методом ионного распыления, обсуждается в следующем разделе, вопросы же, относящиеся к росту монокристаллических пленок при ионном распылении, рассматриваются в гл. [9]
На основе вышеизложенного можно сделать вывод, что общее направление последующих исследований должно идти по пути использования электронной дифракции и электронной микроскопии в процессе роста монокристаллических пленок в условиях высокого вакуума. [10]
 |
Физические свойства алмаза и кремния. [11] |
Наличие границ между кристаллитами резко ухудшает характеристики алмаза, в частности, подвижность основных носителей, кроме того, границы выступают как центры рекомбинации и ловушки, а также являются центрами рассеяния фононов. Рост монокристаллических пленок оказался возможным либо на алмазной подложке, либо на подложке из кубического BN, но обе они очень дороги и практически недоступны для размеров более 1 мм. Именно эти проблемы привели к тому, что, несмотря на более чем 30-летнюю историю активного исследования алмазных пленок, они не получили широкого применения ни в одной массовой технологии. [12]
При решении этой проблемы также могут использоваться ионная и эмиссионная микроскопия, однако применимость последних для тонких пленок ограничена. Исследования роста монокристаллических пленок могут быть расширены при использовании вакуумной техники В настоящее время многокристаллические слои получают в условиях глубокого вакуума. При этом возможно получить информацию о роли загрязнений в процессе роста монокристнл-лических пленок, что помогает понять механизм образования монокристаллической пленки. [13]
Данный метод обеспечивает информацию об адсорбции газов на монокристаллических подложках, чистоте поверхности подложки, размещении атомов в поверхностном слое и ориентации первоначального центра кристаллизации. Эта информация необходима для изучения роста монокристаллических пленок, рассмотренных в разд. [14]
Для изучения роста и структуры монокристаллических пленок необходима подробная информация о состоянии поверхности подложки, ча которой происходит зародышеобразование пленки и рост, а также информация о кристаллической структуре и кристаллографической ориентации пленок на начальных и последующих стадиях роста пленки Для структурных исследований в процессе роста применяются методы: дифракция электронов низкой и высокой энергии, электронная микроскопия, рентгеновская дифракция и эмиссионная микроскопия. В этом разделе будут кратко рассмотрены достоинства этих методов, насколько это касается роста монокристаллических пленок. [15]
Страницы: 1 2