Cтраница 1
Рекордное значение R 30 для слабых световых пучков было достигнуто при использовании эффективной схемы 4-волнового взаимодействия с разворотом плоскости поляризации. [1]
Почти все рекордные значения параметров приемных устройств ММ диапазона, достигнутые к настоящему времени, относятся к таким ТП. Барьер в переходах СИС на основе свинца создается окислением нижнего электрода. Они относительно просты в изготовлении и выдерживают многократные охлаждения до гелриевой температуры, но портятся при длительном хранении в атмосфере, содержащей кислород и водяной пар. [2]
Одно и то же рекордное значение может быть повторено несколько раз, прежде чем будет достигнуто новое рекордное значение. Точки такого относительного максимума называются слабыми лестничными точками. [3]
Еще один пример - рекордные значения сверхпластичности, значительно превышающие аналогичные, характерные для микрозернистогс состояния. Такие уникальные свойства наноструктурных сплавов позволяют значительно расширить возможности практического применения высокоскоростной и низкотемпературной сверхпластичности для эффективной формовки различных деталей и изделий сложной формы. Более того, сверхпластичные наноструктурные материалы могут использоваться в качестве соединительных слоев для сварки различных материалов в твердом состоянии и разного химического состава. [4]
Четвертое поколение объединяет ОУ, имеющие рекордные значения отдельных параметров. [5]
![]() |
Зависимости содержания AlAs в твердых растворах Al - Ga As от. [6] |
В СЭ на основе данных структур получены рекордные значения КПД преобразования прямого и концентрированного солнечного излучения при относительной простоте их технологии по сравнению с другими типами структур. Поэтому более подробно остановимся на особенностях получения этих структур и свойствах СЭ на их основе. [7]
В последние годы разработан ряд сплавов с рекордными значениями коэрцитивной силы и магнитной энергии. [8]
В этом классе материалов находятся все сверхпроводники с рекордным значением Тс. В соединениях типа А15 наблюдаются аномалии в температурной зависимости электропроводности и магнитной восприимчивости. У многих соединений, например V3Si, VsGa, NbgSn, происходит низкотемпературный фазовый переход мартенситного типа. [9]
Здесь заметен не только дальн ший рост прочности, достигающей рекордных значений для Си, HI значительное увеличение пластичности. [10]
Используйте метод примера 5, л), относящийся к рекордным значениям. [11]
В этом параграфе некоторые удивительные особенности случайных блужданий описываются в терминах последовательных рекордных значений. [12]
Gi - icG с непустой внутренностью и число az - i - рекордное значение целевого функционала решаемой задачи по всем просмотренным до сих пор точкам, удовлетворяющим с нужной точностью ограничениям задачи. [13]
Как отмечалось ранее, мощные ионные пучки при равных энергозапасах с электронными обеспечивают рекордные значения объемной ( массовой) плотности энерговыделения в веществе. [14]
Одно и то же рекордное значение может быть повторено несколько раз, прежде чем будет достигнуто новое рекордное значение. Точки такого относительного максимума называются слабыми лестничными точками. [15]