Типовое значение - параметр
Cтраница 1
 |
Структурная схема БИС ППЗУ емкостью 16 К бит ( М - мультиплексор. Б - выходной буфер. [1] |
Типовые значения параметров некоторых отечественных БИС ОЗУ, ПЗУ, ППЗУ и РПЗУ приведены в табл. 6.4. Следует отметить, что БИС ПЗУ и ППЗУ на биполярных структурах обладают высоким быстродействием ( / в. [2]
 |
Сравнение параметров оптронов различных тнаов. [3] |
Типовые значения параметров оптронов с различной структурой приведены в табл. 10.3. Как видно из таблицы, оптрон со схемой Дарлингтона обладает значительным усилением по току. Такой оптрон, однако, имеет наименьшую граничную частоту. [4]
Типовое значение параметра разностной задержки N гребенчатой секции составляет 1 или 2 для больших коэффициентов преобразования частоты дискретизации, которые часто используются в повышающих / понижающих преобразователях. [6]
Могут быть приняты допустимые типовые значения параметра с определенным коэффициентом запаса или риска. [7]
 |
Конфигурация диффузионных резисторов.| Диффузионный резистор, полученный на основе базовой области ( а и коллекторной области ( б. [8] |
В табл. 13.1 даны типовые значения параметров диффузионных резисторов. [9]
Эти соотношения можно упростить, заметив, что в числовом примере П-6 типовые значения параметра для псевдоожиженного слоя G. Такие упрощения ведут к точным уравнениям ( 11 90) и ( 11 101), полученным для однофазного проточного реактора с перемешиванием, и обосновывают подход Ван Хирдена. [10]
Эти соотношения можно упростить, заметив, что в числовом примере II-6 типовые значения параметра для псевдоожиженного слоя G. Такие упрощения ведут к точным уравнениям ( 11 90) и ( 11 101), полученным для однофазного проточного реактора с перемешиванием, и обосновывают подход Ван Хирдена. [11]
Для параметров / Vp, fhzm, fhza, / КБО 21э % э гкэ нао ш tpnc, выкл, г в: Ck приводятся знаки ( больше) или SJ ( меньше); если они отсутствуют, то указывается типовое значение параметра. [12]
Высокая степень нелинейности в характеристиках указывает на то, что в рабочем диапазоне параметры далеко непостоянны. На рис. 2 26 показаны типовые значения параметров в активной области точечноконтакт-ного кристаллического триода. [14]
Иначе в любом из ЭП строки может происходить разрушение информации за счет разрядных паразитных токов. Оценки показывают, что для типовых значений параметров структуры условие (6.32) для накопителя емкостью 64X64 бит выполнено, если ток / в всего лишь в 4 - 5 раз превосходит / хр. [15]
Страницы: 1 2