Рост - проводимость
Cтраница 1
Рост проводимости часто сам по себе не приводит к электрическому пробою полупроводника, так как в ряде случаев токи перед самым пробоем еще настолько малы, что не могут вызвать разрушения. Кроме того, наступление пробоя характеризуется в этих материалах резкой неустойчивостью тока, указывающей на появление нового процесса. Вопросу о механизме пробоя посвящена большая литература, однако он до сих пор еще окончательно не решен. Можно считать, что пробой наступает, когда возрастание энергии свободных электронов под влиянием электрического поля превышает ту энергию, которую электрон успевает передать решетке в виде тепловой энергии. Лавинообразно нарастающая кинетическая энергия свободных электронов и приводит к разрушению образца. Встречается и другой механизм так называемого теплового пробоя, когда повышение проводимости вызывает значительное нагревание, еще сильнее повышающее проводимость, а вместе с тем и температуру. Лавинообразный рост температуры в конце концов расплавляет или испаряет материал в том месте, где плотность тока максимальна. [1]
 |
Зависимость темновой проводимости ( О и. [2] |
Рост проводимости сам по себе не приводит к электрическому пробою полупроводника, так как в ряде случаев токи перед самым пробоем еще настолько малы, что не могут вызвать разрушения. Кроме того, наступление пробоя характеризуется в этих материалах резкой неустойчивостью тока, указывающей на появление нового процесса. Вопросу о механизме пробоя посвящена большая литература, однако он до сих пор еще окончательно не решен. Можно считать, что пробой наступает, когда возрастание энергии свободных электронов под влиянием электрического поля превышает ту энергию, которую электрон успевает передать решетке в виде тепловой энергии. [3]
Росту проводимости в этом случае способствуют главным образом ионы водорода. [4]
С ростом проводимости вещества провода витка доля потока самоиндукции в полном потоке возрастает. [5]
Возможно, что рост проводимости связан с F - центрами, образующимися при потере поверхностью атомов водорода. Эти / - - центры диффундируют в решетку кристаллов, повышая проводимость. До образования зародышей во время г можно наблюдать резкое падение проводимости, которое должно соответствовать ассоциации / - - центров [ рис. 2 ( ВС) ], возможно, вдоль дислокаций и внутренних поверхностей. Сходная гипотеза была выдвинута Митчеллом [14] для объяснения образования зародышей серебра в кристаллах бромида серебра. [6]
В ряде случаев рост проводимости при повышении полярности полимера обусловлен увеличением как подвижности, так и концентрации ионов. [7]
Характерной особенностью полупроводников является рост проводимости с повышением температуры, тогда как у металлов с ростом температуры проводимость уменьшается. [8]
При дальнейшем росте тока рост проводимости замедляется, по-видимому, из-за нелинейного характера рекомбинаци-онных процессов в контактах и в t - области при больших уровнях инжекции. [9]
Увеличение диффузионной емкости сопровождается ростом проводимости, снижающей добротность варикапа. При напряжении и 0 дифференциальная емкость С ( и) ( рис. 22.12, б) равна емкости С0, являющейся постоянным параметром. [10]
Для веществ этого класса характерны рост проводимости с температурой, малая ( по сравнению с металлами) концентрация носителей тока, высокая чувствительность электрических свойств по отношению к воздействию излучений и наличию примесей, а также неомическое поведение контактов. [11]
Для веществ этого класса характерны рост проводимости с температурой, малая ( по сравнению с металлами) концентрация носителей тока, высокая чувствительность электрических свойств по отношению к воздействию излучений и наличию примесей, а также неомическое поведение контактов. [12]
 |
Определения температуры точки росы. [13] |
До относительной влажности 30 % рост проводимости объясняется адсорбцией, от 30 до 80 % дополнительное влияние оказывает капиллярная конденсация. Присутствие загрязнений увеличивает проводимость на несколько порядков. [14]
В этом случае наблюдается процесс роста проводимости за счет заряда СЭ, генерируемого в ходе движения жидкости. [15]
Страницы: 1 2 3 4