Рост - диэлектрическая проницаемость
Cтраница 1
 |
Диаграммы направленности плоского волноводного излучателя с многослойным диэлектрическим покрытием. [1] |
Рост диэлектрической проницаемости слоев ведет к увеличению мощности поверхностных волн, поэтому площади приведенных на рис. 3.7 диаграмм направленностей будут относительно уменьшаться при больших е вследствие их нормировки по излучаемой мощности. [2]
Рост диэлектрической проницаемости, наблюдающийся в низкотемпературной области, вызван, по мнению автора работы [525], процессом предплавления эвтектики глицерин - вода. Рекомбинация радикалов также связывается с гибелью радикалов в эвтектике. Полученные результаты в сочетании с фактом полной гибели радикалов в чистой эвтектике до 200 К [526] позволяют, по мнению автора, считать, что большинство образующихся в эвтектике глицерин-вода радикалов стабилизируется вблизи дефектов. Развитая по сравнению с индивидуальными компонентами поверхность кристаллов, образующих эвтектику, рассматривается как один из основных видов дефектов. [3]
Рост диэлектрической проницаемости в группе сходных растворителей приводит к росту степени диссоциации ( правило Каб-лукова - Нернста - Томсона) и электрической проводимости раствора. [4]
 |
Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры диэлектрика.| Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты напряжения, приложенного к диэлектрику. [5] |
Рост диэлектрической проницаемости у полярного диэлектрика при увеличении температуры ( рис. 15, кривая 1) вызван повышением интенсивности процесса дипольной поляризации. Это объясняется уменьшением межмолекулярных сил в связи с нагреванием диэлектрика, что облегчает поворот полярных молекул под действием сил электрического поля. С ростом температуры тепловая энергия, сообщаемая диэлектрику, становится столь большой, что вызывает хаотическое движение полярных молекул. Из ориентированного электрическим полем положения полярные молекулы переводятся в состояние беспорядочных тепловых колебаний. При этом интенсивность дипольной поляризации снижается, а следовательно, снижается величина диэлектрической проницаемости полярного диэлектрика. Изменение диэлектрической проницаемости у нейтрального диэлектрика в зависимости от температуры ( кривая 2) связано с уменьшением концентрации молекул. [6]
 |
Заполненный резонатор с плоскими зеркалами бесконечных размеров. [7] |
С ростом диэлектрической проницаемости образца поле сильнее концентрируется внутри образца, поэтому роль дифракционных явлений на краях зеркал уменьшается и следовательно, можно считать зеркала заполненного резонатора бесконечно протяженными. Все это справедливо для не очень высоких типов поверхностных волн. [8]
Сам по себе рост диэлектрической проницаемости поверхностного слоя и в том, и в другом случаях за счет дополнительной диэлектрической экранировки приводит к росту ширины доменов. [9]
При этом с ростом диэлектрической проницаемости эффект концентрации проявляется при меньшем заполнении. [10]
Константа диссоциации с ростом диэлектрической проницаемости увеличивается. В сильно разбавленных растворах средний ионный коэффициент активности не зависит от природы электролита в пределах данного валентного типа и определяется только величиной ионной силы. Свойством растворителя, определяющим его ионизирующую способность, является диэлектрическая проницаемость. [11]
Увеличение степени увлажнения сопровождается ростом диэлектрической проницаемости и снижением интенсивности радиоизлучения. Толщина эффективно излучающего слоя также уменьша-гтся с увеличением влагосодержания пород. При возрастании естественной влажности от 3 до 10 % толщина слоя изменяется на сантиметровых волнах приблизительно от 5 - 50 до 1 - 10 см, а на дециметровых - от 2 - 200 до 3 - 30 см. Увеличение степени засоленности почвы сопровождается уменьшением глубины СВЧ-зонди-рования. [12]
По сравнению с общей тенденцией роста диэлектрической проницаемости во времени у эфирных масел, бросается в глаза падение диэлектрической проницаемости у гвоздичного масла. Это объясняется тем, что при самоокислении в ароматическом кольце эвгенола нарушается двойная связь в боковой цепи. [13]
С увеличением толщины слоя d и ростом диэлектрической проницаемости е мощность поверхностных волн 5 растет. При е 2; 4 поверхностная волна возбуждается при толщине слоя 2 и L. Количество энергии, переносимой волной, может быть значительным. Так, при е 10 и толщине слоя d 10 мм мощность PS приблизительно равна 60 % всей подводимой мощности к антенне. [14]
Голубой сдвиг йодной полосы сильно увеличивается с ростом диэлектрической проницаемости растворителя. Положение этой полосы изменяется от 420 - 430 нм в насыщенных углеводородах до 390 - 400 нм в дихлорэтане, хлороформе и других полярных рас-тора ( 12) в видимой области спектра творителях. [15]
Страницы: 1 2 3 4