Cтраница 1
Удвоение Z-типа показано лишь качественно; его зависимость от / и К не учитывается. Для молекулы точечной группы C3v индексы и следует опустить. Следовательно, в одной и той же полосе может наблюдаться как параллельная, так и перпендикулярная компонента. [1]
Линии нагрузки транзистора Tf. [2] |
Стабилизации этого напряжения способствует и местная обратная связь Z-типа ( последовательная по току), осуществляемая с помощью резистора REf - Стабилизация тока покоя оконечных транзисторов достигается ( введением в схему полупроводникового диода, сопротивление которого и, следовательно, падение напряжения на нем, равное U B U B, уменьшаются при повышении температуры. [3]
Я-типа значительно больше, чем обычное удвоение ЛГ-типа в линейной молекуле, где оно может быть обусловлено только удвоением Z-типа или Л - типа. [4]
J. Изготовление анализаторов на основе многослойных молекулярных структур. [5] |
В зависимости от наносимого вещества и других условий процесса возможны варианты переноса только при опускании ( Х - тип) либо вытягивании ( Z-тип) подложки. Но наиболее часто при нанесении слоев длин ноцепных молекул перенос происходит при движении в обоих направлениях ( Y-тип), и период структуры равен удвоенной толщине слоя. Таким путем получают псевдокристаллические структуры с межплоскостным расстоянием до 6 - 8 нм. [6]
В случае вещественного Z2i0 усилитель не вносит фазовый сдвиг 180 ( по напряжению), но за счет действия внутреннего зависимого генератора ток Л возрастает1), следовательно, при Z2t 0 обратная связь Z-типа оказывается положительной. [7]
В них имеется ожидаемое удвоение во всех трех ветвях. В этом случае удвоение связано главным образом с удвоением Z-типа в нижнем состоянии. Очень небольшое число синглетных электронных переходов других хорошо известных линейных молекул ( таких, как С02, CS2, HGN) представляют собой линейно-линейные переходы. К таким же переходам относятся и некоторые другие, пока не исследованные при достаточном разрешении. [8]
Подробно было изучено лишь несколько видов сине-зеленых водорослей, и тем не менее удалось установить главные особенности их фотосинтеза. У этих водорослей также обнаружены две фотосистемы и электронтранспортная цепь Z-типа, а их ФС I, по-видимому, сходна с аналогичной системой у эукариот. [9]
Таким образом, напряжение ОС зависит от выходного тока, поэтому такой вид ОС называется последовательной по току. Помимо того последовательное соединение четырехполюсников при анализе описывается Z-параметрами и ОС называется также связю Z-типа. [10]
Одним из таких примеров может служить схема рис. 2 - 9, которая является однонаправленной, но может быть неустойчивой, как было показано в гл. В этой схеме плоскостной транзистор представлен Т - образной эквивалентной схемой, полученной из схемы замещения Z-типа. Это значит, что транзистор предполагается устойчивым при разрыве цепей входа и выхода, что соответствует его действительным свойствам. Собственные иммитансы входа и выхода такой схемы замещения - в случае плоскостного транзистора имеют положительные вещественные составляющие на всех вещественных частотах. При этих условиях применение схемы компенсации обратной передачи Z-типа должно обеспечить устойчивость при любых пассивных нагрузках транзистора. Такая схема компенсирует параметр обратной передачи в результирующем четырехполюснике, но при этом результирующий четырехполюсник не отвечает требованию устойчивости при замыкании или размыкании одной его стороны и при любой нагрузке с другой стороны. В целом эта цепь может быть неустойчивой, несмотря на то, что она приведена к однонаправленности. [11]
Вследствие удвоения I - или / - типа линии в этих под-полосах удвоены. Чтобы установить, какие подуровни комбинируют между собой, следует пользоваться приведенными выше правилами отбора ( см. стр. Поскольку удвоение Z-типа в уровнях с К 2 в общем случае пренебрежимо мало, удвоение линий в подполосах 1 - 2 и 2 - 1 дает непосредственно расщепление Z-типа уровней с К 1 соответственно в верхнем и нижнем состояниях. [12]
Вследствие удвоения I - или / - типа линии в этих под-полосах удвоены. Чтобы установить, какие подуровни комбинируют между собой, следует пользоваться приведенными выше правилами отбора ( см. стр. Поскольку удвоение Z-типа в уровнях с К 2 в общем случае пренебрежимо мало, удвоение линий в подполосах 1 - 2 и 2 - 1 дает непосредственно расщепление Z-типа уровней с К 1 соответственно в верхнем и нижнем состояниях. [13]
Приведенные данные показывают, что уравнение ( 11 53) хорошо выполняется. Тот факт, что комбинационный дефект больше у DCN, чем у HGN, служит доказательством того, что он связан с асимметрическим удвоением, а не с удвоением Л - или Z-типа. [14]
Одним из таких примеров может служить схема рис. 2 - 9, которая является однонаправленной, но может быть неустойчивой, как было показано в гл. В этой схеме плоскостной транзистор представлен Т - образной эквивалентной схемой, полученной из схемы замещения Z-типа. Это значит, что транзистор предполагается устойчивым при разрыве цепей входа и выхода, что соответствует его действительным свойствам. Собственные иммитансы входа и выхода такой схемы замещения - в случае плоскостного транзистора имеют положительные вещественные составляющие на всех вещественных частотах. При этих условиях применение схемы компенсации обратной передачи Z-типа должно обеспечить устойчивость при любых пассивных нагрузках транзистора. Такая схема компенсирует параметр обратной передачи в результирующем четырехполюснике, но при этом результирующий четырехполюсник не отвечает требованию устойчивости при замыкании или размыкании одной его стороны и при любой нагрузке с другой стороны. В целом эта цепь может быть неустойчивой, несмотря на то, что она приведена к однонаправленности. [15]