Рост - дендрит
Cтраница 4
Такие пленки являются более химически стойкими, чем целлофан, и лучше задерживают рост дендритов цинка при работе в цинкатных растворах, но применение ее в промышленности не всегда целесообразно из-за высокого электрического сопротивления. [46]
Кроме того, исследованиями было установлено, что при одинаковых температурных условиях осуществляется либо рост острых игольчатых дендритов ( см. рис. 33), либо с иглами параболоидной формы. [47]
Кроме того, исследованиями было установлено, что при одинаковых температурных условиях осуществляется либо рост острых игольчатых дендритов ( см. рис. 6.6), либо с иглами параболоидной формы. [48]
При некотором критическом переохлаждении, зависящем от концентра-ци-и добавки, происходит резкое увеличение скорости роста дендритов в сплаве Sn - Pb. Особенно большое влияние на скорость роста оказывает добавка 5 % РЬ. В этом сплаве при повышений переохлаждения - от 25 до 26 G скорость роста дендритов возрастает с 4 до 130 см / с. Этот очень интересный факт авторы не объясняют. [49]
Какой бы ни был избран способ, кристалла-затравки или геликоидной дискриминации, затвердевание осуществляется путем роста дендритов по трем ортогональным направлениям 001; ориентировка 001 ближе всего к главному направлению роста, то есть к направлению температурного градиента. На рис. 7.4 представлены три кристалла, выращенные по трем главным кристаллографическим направлениям и протравленные, чтобы продемонстрировать их дендритную субструктуру. [50]
Рост изолированной пластинки ( или иглы) от границы зерна внутрь этого зерна во многих отношениях аналогичен росту дендрита, и экспериментально было показано, что действительно такие видманштеттовы пластинки, как правило, растут с постоянной скоростью. [51]
Современная техника эксперимента позволяет исследовать сам процесс развития электрического пробоя, а также явления, сопровождающие образование и рост дендритов в конденсированных средах. В настоящее время существует точка зрения, согласно которой многие явления в твердых и жидких диэлектриках в процессе развития пробоя аналогичны и не связаны непосредственно с ударной ионизацией. [52]
Кристаллизация металлов и материалов, ведущих себя в процессе кристаллизации подобно металлам, происходит с образованием плоского фронта кристаллизации или с ростом дендритов в переохлажденных расплавах, если эти материалы достаточно чистые. Наличие примеси является причиной образования ячеек или примесных дендритов. Большинство же неметаллов и, в частности, обычные органические соединения в процессе роста кристаллов ограничены большими плоскими гранями или имеют игольчатую поверхность раздела фаз. С помощью киносъемки зафиксированы формы фронта кристаллизации, характерные для ацетамида ( рис. 165, а) и для камфена ( рис. 165 6), полученные без воздействия ультразвукового поля. [53]
 |
Схема Бейна. [54] |
Концентрация хрома, которую до сих пор не удавалось объяснить, может быть легко объяснена, если учесть, что в случае роста двухмерного дендрита вектор диффузии должен содержаться в самой плоскости межповерхностной границы между зернами, а не перпендикулярно к ней, как это следует из схемы Бейна ( рис. 5), лежащей в основе теории. Схема Бейна объясняет межкристаллитную коррозию уменьшением концентрации хрома в результате диффузии из внутренней части кристалла в направлении между зернами. При температурах около 700 С скорость диффузии обеднения границ зерен хромом по границам зерен на несколько порядков величин превышает скорость диффузии внутри кристаллита. [55]
В статье М.Д. Кривилева и П.К. Галенко Влияние стохастического шума на дендритную структуру затвердевающего сплава методом компьютерного моделирования показано, что стохастический шум в кинетике роста дендритов приводит к переходу от детерминированной структуры к стохастической. Эта информация является очень важной для разработки методов контроля за структурообразованием in situ при интеллектуальных ( самоуправляемых) технологиях. Контроль in situ за эволюцией структуры при внешнем воздействии наиболее целесообразно проводить на мезоуровне. [56]
Страницы: 1 2 3 4