Cтраница 2
Процессы расширения протекают практически во всех твердеющих системах, но различаются по скорости. Если скорость роста кристаллов сульфоалюмината кальция достигает максимума в период, когда структура цементного камня обладает заметной жесткостью, то расширение системы оказывается значительным. Если же кристаллы сульфоалюмината кальция завершают свой рост в еще слабо структурированном тесте, то они лишь сжимают гелеобразную массу и расширения системы может не произоцти. Интенсивный рост кристаллов сульфоалюмината кальция в сильно упрочнившемся цементном камне сопровождается наиболее сильным расширением системы, однако очень часто расширение в этот период приводит к спадам прочности или даже разрушению изделий. Для различных видов расширяющихся цементов период наиболее интенсивного и безопасного расширения цементного камня, приготовленного на их основе, равен 1 - 7 сут. [16]
Степень и скорость спекания зависят от факторов, из них основными являются температура и продолжительность спекания, дисперсность частиц, коэффициент диффузии. Скорость спекания меняется со временем. Наиболее интенсивное спекание происходит до достижения пористости около 10 %, яосле чего скорость уплотнения редко падает. Это совпадает с началом интенсивного роста кристаллов. Очень большое влияние на спекание кристаллических порошков оказывает их дисперсность. Скорость спекания кристаллического керамического материала приблизительно обратно пропорциональна диаметру его частиц. Поэтому для интенсивного спекания такого материала требуется очень тонкое измельчение. [17]
Субструктура может появиться даже в очень чистых сортах железа, например в карбонильном и армко-железе. Особенно часто ее наблюдают в малоуглеродистых сталях с грубым зерном. Границы субзеренной структуры выявляются в форме довольно длинных прожилок или ряда точек, которые подразделяют зерно в виде неравномерной прерывистой сетки. Аммерманн и Корн-фельдт [16] установили, что в зернах, которые возникают при рекристаллизации после холодной деформации, вследствие интенсивного роста кристалла прожилки не образуются. Они появляются только в зернах, которые образуются при Y - а-превращении при охлаждении. [18]
Технология получения полупроводниковых пленок для изготовления чувствительных элементов болометров в общих чертах состоит в следующем. Смесь окислов металлов смешивается с органической связкой и соответствующим растворителем до степени плотности сливок. Полученная суспензия размазывается по полированной стеклянной поверхности и просушивается. Образовавшуюся после просушки пленку снимают со стекла и разрезают на образцы требуемых размеров и формы ( с учетом последующей усадки при отжиге), после чего отжигают при температуре спекания около 1100 - 1200 С на гладкой керамической поверхности. При температурах порядка 800 С начинается интенсивный рост кристаллов, усиливающийся с повышением температуры до 900 - 1000 С. К 1100 - 1200 пространства между кристаллами закрываются, образуя замкнутые поры, и укрупнение кристаллов становится особенно отчетливым. [19]
При температурах, несколько превышающих температуру начала заметного разложения W ( CO) e ( 300 С), образуется металлическая пленка с зеркальным блеском. Мелкодисперсная структура пленок сохраняется до 350 С. Выше этой температуры происходит формирование каплсподобных образований. Размеры этих образований достигают максимума при 700 С, а затем они уменьшаются и исчезают вовсе при 800 С. Волее высокие температуры способствуют интенсивному росту кристаллов. Пленки, полученные на различных подложках ( Mo, W, Та, Nb, Ti), обнаруживают сходную морфологическую картину. [20]
Особенно это видно на катушках из ГПМТ, на которых отложения очень плотные и многослойные - каждый слой образовывался после мероприятий по очистке трубопровода. Для очистки использовался тепловой метод, который не растворяет, а расплавляет отложения. Так как поверхность катушек гидрофобна, неполярна и имеет одинаковое с молекулами парафина строение, то они являются наилучшим объектом для образования зародыша, а впоследствии, и роста кристаллов. Высокая температура теплоагента, которая должна очистить поверхность трубопровода, не в состоянии подействовать на силы сцепления между однородными молекулами, в результате чего после каждой очистки остается слой плотных, подвергшихся термообработке отложений. Слой парафиновых отложений, опять-таки является однородным с парафинами, вследствие чего происходит дальнейший интенсивный рост кристаллов парафина. [21]