Крутой рост
Cтраница 1
Наиболее крутой рост имеют функции порогового контраста для объектов наблюдения с малыми угловыми размерами ( а 2), а также быстротой различения и обнаружения на интервале изменения яркости фона Бф 1 - е - 104 нт. [1]
 |
Температурная зависимость избы. [2] |
Крутой рост парциальной сжимаемости с повышением температуры объясняется увеличением амплитуды тепловых движений молекул, или, иначе говоря, расширением полости вокруг молекулы растворенного вещества. [3]
Крутой рост изотермы адсорбции после 0, 1 обусловлен трехмерной ассоциацией в системе и сопровождается резким увеличением энтальпии ( возрастанием энтропии) вследствие разрушения структуры воды вокруг ассоциирующих молекул. [5]
 |
Температурная зависимость избы - § т. [6] |
Крутой рост парциальной сжимаемости с повышением температуры объясняется увеличением амплитуды тепловых движений молекул, или, иначе говоря, расширением полости вокруг молекулы растворенного вещества. [7]
 |
Изотермы адсорбции - десорбции лигносульфоната кальция ( ЛСК на полиостью гидратированном C.. S в водной среде ( 81 ]. [8] |
Наблюдается крутой рост адсорбции лигносульфоната до его концентрации 0 5 мг / мл, сменяющийся более слабым увеличением адсорбции при повышении концентрации лигносульфоната кальция. Как видно из десорбционных кривых рис. 3.23, отмечается практически необратимая адсорбция тем большего количества лигносульфоната, чем выше его концентрация. [9]
Физически более крутой рост угла Эт с увеличением поля объясняется согласованным поворотом директора по всей толщине слоя, включая граничные области, и, следовательно, меньшим противодействием упругих сил в этих областях. [10]
Чем лучше характеристики магнитного материала ( крутой рост В при малых Н и резкое насыщение при больших Я), тем точнее выполняется соотношение Ядейсга Я. [11]
В очень чистом соединении InSb обнаруживается весьма крутой рост поглощения. На основе целого ряда других соображений полагают ( см. гл. InSb как раз принадлежит к полупроводникам первого типа, о которых шла речь выше, хотя возможны некоторые осложнения, связанные с вырождением валентной зоны. [12]
На начальной стадии выполнения программы должен быть заметен крутой рост тенденций, а по мере исчерпывания возможностей дальнейшего улучшения качества ( состояние насыщения) кривая постепенно становится пологой, изменяясь по экспоненциальному закону. [13]
Как видно из графика, обратное испарение вначале приводит к крутому росту содержания кислоты в газах. [14]
Эти авторы применили аппаратуру со значительно большей разрешающей способностью, и им удалось доказать, что крутой рост поглощения в этой области связан не только с прямыми переходами, но и с экситон-ной линией поглощения, которую они сумели выделить из непрерывного фона сплошного поглощения. Вид кривой поглощения при 77 К показан на фиг. [15]
Страницы: 1 2 3 4