Резкий рост - ток
Cтраница 3
 |
Условное обозначение стабилитрона.| Характеристика стабилитрона.| Условное обозначение варикапа. [31] |
В диодах обычного типа обратный ток существенно возрастает при превышении максимального обратного напряжения. Обратная ветвь характеристики стабилитрона имеет крутой излом, обусловленный резким ростом тока. Этот излом соответствует напряжению стабилизации Uz. На рис. 3.8 показано условное обозначение стабилитрона, а на рис. 3.9 приведена его характеристика. [32]
Включение тиристора может произойти также в случае возникновения перенапряжений на приборе ( даже очень кратковременных) или при быстром нарастании положительного напряжения на аноде закрытого тиристора. Чрезмерное повышение температуры р-п-р-п - струк-туры тиристора, ведущее к резкому росту токов в закрытом состоянии, также может являться причиной включения вентиля. [33]
В чистой серной кислоте цирконий сохраняет пассивное состояние во всем интервале исследованных потенциалов. В соляной кислоте кривая сперва идет так же, как и в серной, но при потенциале, отвечающем точке Б, начинается резкий рост тока и образование питтинга. В присутствии Вг - и 1 - происходят подобные же процессы, но для начала роста тока требуются более положительные потенциалы. Можно сказать, что депассивирующее действие анионов убывает в ряду СГВг-Г. [34]
В этой области напряжение слабо зависит от тока - это так называемое остаточное напряжение динистора в режиме насыщения. Это означает, что при каком-то напряжении произойдет резкий рост тока и переход из области положительных дифференциальных сопротивлений ДД. [35]
Кислоты НС1, НВг и HJ имеют напряжение разложения ниже, чем кислородные кислоты. Поэтому при электролизе растворов НВг или HJ на аноде выделяются галогены при потенциале, близком к равновесному, следствием чего и должно быть меньшее напряжение разложения. Что касается НС1, то хотя Фс н положительнее, чем Ф 2ВН, высокое кислородное перенапряжение обеспечивает выделение на аноде главным образом хлора, что вызывает резкий рост тока при потенциале немного более положительном, чем равновесный для хлора. [36]
 |
Структура динистора ( а и ее двухтранзисторное представление ( и.| Вольтамперная характеристика динистора. [37] |
Дальнейшее увеличение приложенного напряжения приводит к снижению величины потенциального барьера запертого р-п перехода. Происходит перераспределение падения напряжения во всех частях структуры, понижаются барьеры р-п переходов, число инжектируемых носителей лавинообразно нарастает. Большую роль здесь начинают играть процессы умножения носителей тока. Этому процессу соответствует участок отрицательного сопротивления / / на вольтамперной характеристике. После перехода динистора в открытое состояние его внутреннее сопротивление становится малым, и дальнейшее увеличение напряжения вызывает резкий рост тока - участок / / / на вольтамперной характеристике. В этой области напряжение слабо зависит от тока, это так называемое остаточное напряжение динистора в режиме насыщения. [38]
Страницы: 1 2 3