Дальнейший рост - поле
Cтраница 1
Дальнейший рост поля Н приводит к исчезновению границ Блоха ( Н - 35 - 40 Э) и полной монодоменизации кристалла. [1]
 |
Динамическая кривая намагничивания ферромагнетика. [2] |
Дальнейший рост поля Я не изменяет направления вектора J, однако величина его будет в небольших пределах изменяться. Это соответствует зоне 3 на кривой намагничивания. [3]
Следовательно, здесь наблюдается обратная закономерность: подвижность должна расти с ростом поля, что действительно и происходит в германии при температурах - 20 К и поле - - 100 в / см. Однако при дальнейшем росте поля подвижность начинает падать. [4]
Ставились специальные опыты по проверке влияния магнитного поля на люминесценцию салицилата натрия [40]; при этом наблюдалось очень слабое ( 1 %) увеличение интенсивности люминесценции при увеличении напряженности магнитного поля от 10 до 14 кгс. Дальнейший рост поля не вызывает изменения интенсивности люминесценции. [5]
 |
Схемы расположения уровней ловушек захвата ( ЛЗ и рекомбинацией. [6] |
Возрастание проводимости обусловлено ростом числа носителей заряда, так как под влиянием поля они легче освобождаются тепловым возбуждением. При дальнейшем росте поля может появиться механизм ударной ионизации, иногда приводящий к разрушению структуры полупроводника. [7]
Возрастание электропроводности обусловлено ростом числа носителей тока, так как под влиянием ноля они более легко освобождаются тепловым возбуждением. При дальнейшем росте поля может появиться механизм ударной ионизации, приводящий к разрушению структуры полупроводника. [8]
 |
Зависимость ко - эффициента поглощения К и фототока / ф эффициента поглощения К. ф. [9] |
Возрастание электропроводности обусловлено ростом числа носителей тока, так как под влиянием поля они более легко освобождаются тепловым возбуждением. При дальнейшем росте поля может появиться механизм ударной ионизации, приводящий к разрушению структуры полупроводника. [10]
 |
Зависимость коэффи - ф 7. [11] |
Возрастание проводимости обусловлено ростом числа носителей заряда, так как под влиянием поля они более легко освобождаются тепловым возбуждением. При дальнейшем росте поля может появиться механизм ударной ионизации, приводящий к разрушению структуры полупроводника. [12]
Возрастание проводимости обусловлено ростом числа носителей заряда, так как под влиянием поля они легче освобождаются тепловым возбуждением. При дальнейшем росте поля может появиться механизм ударной ионизации, иногда приводящий к разрушению структуры полупроводника. [13]
Таким образом, эффективная решеточная теплопроводность сверхпроводящих слоев уменьшается приблизительно в 5 раз по сравнению с теплопроводностью в массе образца. Такое резкое увеличение теплосопротивле-ния сверхпроводящих слое приводит к резкому уменьшению теплопроводности при переходе образца в промежуточное состояние. С дальнейшим ростом поля толщина сверхпроводящих слоев постепенно уменьшается, вследствие чего их теплосопротивление также уменьшается, и теплопроводность образца постепенно возрастает. Решеточная теплопроводность в слоях уменьшается так сильно, что электронной компонентой теплопроводности пренебрегать уже нельзя. Если учесть ее вклад, то окончательно полученный результат очень хорошо согласуется с данными, полученными в возрастающих магнитных полях. [14]
Корнит п Олсон [23] предложили для объяснении этого явления грубую модель, it которой предполагается, что электронная и решеточная теплопроводности имеют различную температурную зависимость, и получили превосходное согласие с экспериментом. Их теплопроводность имеет в основном решеточное происхождение. Ларедо и Пнппард с помощью остроумных умозаключений показали, что длина свободного пробега L, для решеточного рассеяния в тонком слое значительно меньше, чем в сплошном сверхпроводнике. Таким образом, эффективная решеточная теплопроводность сверхпроводящих слоев уменьшается приблизительно в 5 раз по сравнению с теплопроводностью в массе образца. Такое резкое увеличение теплосопротпвле-ппя сверхпроводящих слое-1 приводит к резкому уменьшению теплопроводности при переходе образца в промежуточное состояние. С дальнейшим ростом поля толщина сверхпроводящих слоев постепенно уменьшается, вследствие чего их теилосопротнвлепие также уменьшается, п теплопроводность образца постепенно возрастает. Решеточная теплопроводность в слоях уменьшается так сильно, что электронной компонентой теплопроводности пренебрегать уже нельзя. Если учесть ее вклад, то окончательно полученный результат очень хорошо согласуется с данными, полученными в возрастающих магнитных полях. [15]
Страницы: 1 2