Дальнейший рост - ток
Cтраница 1
Дальнейший рост тока связан с появлением вторичных электронов, выбиваемых из катода в результате его бомбардировки положительными ионами. [1]
Ожидается дальнейший рост тока к. [2]
 |
Статическая вольт-амперная характеристика дуги. [3] |
При дальнейшем росте тока пропорционально увеличивается и площадь столба. Плотность тока при этом остается примерно постоянной, поэтому и напряжение дуги не меняется с возрастанием тока. Характеристика на участке / / жесткая, она наблюдается при сварке покрытым электродом и механизированной сварке под флюсом. Граница между участками lull при различных способах и условиях сварки соответствует значению - 100 А. [4]
При дальнейшем росте тока пропорционально увеличивается площадь столба дуги, поэтому характеристика в области II жесткая. Она наблюдается при сварке покрытым электродом и механизированной сварке под флюсом. [5]
При дальнейшем росте тока рост проводимости замедляется, по-видимому, из-за нелинейного характера рекомбинаци-онных процессов в контактах и в t - области при больших уровнях инжекции. [6]
 |
Распределение диодов.| Экспериментальная зависимость коэффициента лавинного умножения обратного тока от напряжения для диода с мягким ( - - и с резким ( О, А, П пробоем. [7] |
При дальнейшем росте тока дифференциальное сопротивление диодов остается постоянным, пока температура перехода не достигает - 100 С. После этого величина Rap уменьшается с ростом тока, достигая нулевого значения при токе, соответствующем температуре перехода / np200 240 C. [8]
При дальнейшем росте тока пропорцио нально увеличивается площадь столба дуги, поэтому характерис тика в области II жесткая. Она наблюдается при сварке покрыты. [9]
 |
Зависимость усиления по току от тока эмиттера ( TS33.| Выходные характеристики сплавного плоскостного транзистора ( TF65 в схеме с общей базой при. [10] |
При дальнейшем росте тока эмиттера напряжение на эмиттере опять повышается вследствие влияния падения напряжения на сопротивлениях йазы и эмиттера. Включив в цепь эмиттера соответствующее сопротивление, можно добиться того, чтобы нагрузочная прямая, соответствующая этому сопротивлению, пересекала вольт-амперную характеристику в трех точках. Таким образом, можно с помощью импульсов напряжения переключать схему из одного состояния в другое. Подобные же процессы переключения можно получить в схемах с общим эмиттером и общим коллектором. [11]
Во / / области при дальнейшем росте тока и ограниченном сечении электродов столб дуги несколько сжимается и объем газа, участвующего в переносе зарядов, уменьшается. Это приводит к меньшей скорости роста числа заряженных частиц. Напряжение дуги становится мало зависящим от тока, а характеристика - пологой. Первые две области токов охватывают дуги с так называемым отрицательным электрическим сопротивлением. [12]
Во второй области, при дальнейшем росте тока и ограниченном сечении электродов, столб дуги несколько сжимается, и объем газа, участвующего в переносе зарядов, уменьшается. Зто приводит к меньшей скорости роста числа заряженных частиц. Напряжение дуги становится мало зависящим от тока, а характеристика - пологой. Первые две области токов охватывают дуг с так называемым отрицательным электрическим сопротивлением. [13]
Часто наблюдается вслед за ростом тока с напряжением дальнейший рост тока, несмотря на уменьшение разности потенциалов на переходном слое. [14]
Постоянная времени главного потока, определенная по скорости дальнейшего роста тока, оказалась равной Th - 2 0 сек. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5