Cтраница 1
Реальные кристаллические вещества чаще всего хорошо описываются в приближении идеальной решетки. Впрочем, при этом надо исключить из их числа достаточно широко распространенные структуры, в которых трехмерная упорядоченность имеет статистический характер, а также так называемые СШ-структуры [3], неупорядоченные в одном или двух измерениях. Фазы, имеющие такое строение, обычно считают неравновесными или мета-стабильными. [1]
В пособии магнитные материалы рассматриваются как реальные кристаллические вещества, содержащие ту или иную дефектность дислокации, микрокогерентность и др. Излагаются современные представления о процессах намагничения и перемагничения, анализируются свойства магнитных материалов, имеющих большое практическое значение для многих отраслей промышленности. Особое внимание уделено единой физической классификации всех современных магнитных материалов. [2]
Дифракционные картины состоят из диффузного фона и селективных максимумов, распределение и интенсивность которых позволяет определить атомно-кристаллическое строение вещества. Диффузное рассеяние связано со статическими и динамическими несовершенствами реальных кристаллических веществ. [3]
Метод, который по существу лучше всего подходит для обработки реальных кристаллических веществ, развит Борном и Карманом [74], хотя Раманом [564, 565] был предложен еще один очень интересный метод. В связи с большой математической сложностью этих двух приближений при практических расчетах чаще пользуются более простыми, идеализированными моделями. Исторически Эйнштейн [174] первым предложил метод рассмотрения квантовых свойств одноатомных кристаллов. В его приближении атомы в кристалле рассматриваются как независимые осцилляторы с одной и той же частотой. Эти осцилляторы могут приобретать только определенные количества, или кванты, энергии hv, где h - постоянная Планка, a v - частота осциллятора. [4]
Соотношения между числом атомов разного сорта в молекулах меняются скачкообразно, обычно они просты - отсюда законы постоянства состава и простых кратных отношений, сыгравшие большую положительную роль при становлении химии как науки. Перелом во взглядах химиков-неоргаников в этом вопросе происходил мучительно лолго, и до СИУ пор находятся исслехюватеаи, считающие, что нестехиометрии нет, а формулы химических соединений следует записывать, основываясь на данных лишь химического анализа, давая стехиометрические коэффициенты в формуле, например, бинарного соединения Ащ & ц с целочисленными JT1 и п, отношение которых отвечает валовому химическому составу. Во времена Дальтона Ш и П брались как небольшие целые числа что справедливо для многих молекулярных соединений. Состав реальных кристаллических веществ может колебаться в широких пределах и записывать в пределах области гомогенности для каждого состава отдельную формулу не имеет смысла. [5]
Оба эти понятия основываются на распределении Максвелла - Больцмана, которое в рассматриваемых субмикроскопических объемах, по-видимому, не реализуется. Чтобы определить температуру как меру средней поступательной кинетической энергии материальных частиц, которые подчиняются статистике Максвелла - Больцмана, нужно выполнить условие быстрого распределения энергии по возбужденным степеням свободы. При более низкой скорости обмена энергией между отдельными степенями свободы наблюдается отклонение от равновесия. Если независимое от времени распределение Максвелла - Больцмана не осуществляется, тогда не может быть указана также и общая температура. Уравнения теплопроводности, которые применяются для вычисления повышений температуры, возникающих при пластической деформации в желобке царапины или во время распространения трещины у фронта разрыва, основаны на предположении о том, что теплота распространяется с бесконечно большой скоростью. В действительности, скорость распространения тепла связана с физическим механизмом передачи колебаний и существенным образом зависит от реальной структуры. Если принять за верхний предел скорости распространения тепла скорость звука в идеальном кристалле, то для распространения энергии в реальном кристаллическом веществе она может быть значительно меньше. Благодаря этому предоставляется возможность для энергообмена. [6]