Cтраница 1
Только кристаллические вещества имеют магнитоупорядоченные структуры. Степень анизотропии магнитных свойств зависит от совершенства кристаллической решетки. [1]
Сггнетоэлектриками могут быть только кристаллические вещества, причем такие, у которых отсутствует центр симметрии. Взаимодействие частиц в кристалле сегнетоэлектрика приводит к тому, что их дипольные моменты спонтанно устанавливаются параллельно друг другу. В исключительных случаях одинаковая ориентация дипольных моментов распространяется на весь кристалл. [2]
Сегнетоэлектриками могут быть только кристаллические вещества, причем такие, у которых отсутствует центр симметрии. Взаимодействие частиц в кристалле сегнетоэлектрика приводит к тому, что их дипольные моменты спонтанно устанавливаются параллельно друг другу. В исключительных случаях одинаковая ориентация дипольных моментов распространяется на весь кристалл. [3]
Таким веществом может быть только кристаллическое вещество с определенной кристаллической решеткой, так как только в таком веществе возможно существование участков строго определенных размеров, какими должны быть одинаковые по размерам поры. Но с другой стороны, в кристаллах, как известно, нет пустот, поэтому, чтобы образовались поры в кристаллах, нужно удалить какие-то химические составные части кристалла, которые имеют вполне определенные размеры. Тогда в кристалле образуются пустоты, поры. [4]
Для реакций, в которых участвуют только кристаллические вещества, пользуясь тепловой теоремой ( см. § 98), можно, и не располагая значением константы равновесия при какой-нибудь температуре, определить постоянную интегрирования уравнения ( VI, 27), если известны теплоемкости веществ, участвующих в реакции, для всего температурного интервала от Т0 до интересующей нас температуры. Наряду с этим, если известны абсолютные энтропии веществ, участвующих в реакции, легко определить и изменение энтропии при реакции. [5]
Для реакций, в которых участвуют только кристаллические вещества, пользуясь тепловой теоремой ( см. § 150), можно, и не располагая значением константы равновесия при какой-нибудь температуре, определить постоянную интегрирования уравнения ( VI, 33), если известны теплоемкости веществ, участвующих в реакции, для всего температурного интервала от Т0 до интересующей нас температуры. Наряду с этим ( см. § 150) допущение ASro О позволяет из данных теплоемкости с удовлетворительной точностью определить абсолютные энтропии веществ, участвующих в реакции, и, следовательно, изменение энтропии при реакции. [6]
Для реакций, в которых участвуют только кристаллические вещества, пользуясь тепловой теоремой ( см. § 98), можно, и не располагая значением константы равновесия при какой-нибудь температуре, определить постоянную интегрирования уравнения ( VI, 27), если известны теплоемкости веществ, участвующих в реакции, для всего температурного интервала от Го до интересующей нас температуры. Наряду с этим, если известны абсолютные энт-ропии веществ, участвующих в реакции, легко определить и изме-нение энтропии при реакции. [7]
Установлено также, чти ферромагнитными свойствами могут обладать только кристаллические вещества, в атомах которых имеются недостроенные внутренние электронные оболочки с не-скомпснсиропанными слипами. В подобных кристаллах MOIVT возникать силы, которые вынуждают еш-шозые магнитные моменты электронов ориен тироваться параллельно друг tipyet /, что и приводит к возникновению областей спонтанного намагничения. Эти силы, называемые обменными силами, имеют квантовую природу они обусловлены волновыми свойствами электронов. [8]
Установлено также, что ферромагнитными свойствами могут обладать только кристаллические вещества, в атомах которых имеются недостроенные внутренние электронные оболочки с нескомпенсированными спинами. В подобных кристаллах могут возникать силы, которые вынуждают спиновые магнитные моменты электронов ориентироваться параллельно друг другу, что и приводит к возникновению областей спонтанного намагничения. Эти силы, называемые обменными силами, имеют квантовую природу - они обусловлены волновыми свойствами электронов. [9]
Если поставить точку в нашем рассказе о новых материалах полупроводниковой техники, то может создаться впечатление, что полупроводниковые материалы - это только кристаллические вещества. [10]
Установлено также, что ферромагнитными свойствами могут обладать только кристаллические вещества, в атомах которых имеются недостроенные внутренние электронные оболочки с нескомпенсированными спинами. В подобных кристаллах могут возникать силы, которые вынуждают спиновые магнитные моменты электронов ориентироваться параллельно друг другу, что и приводит к возникновению областей спонтанного намагничения. Эти силы, называемые обменными силами, имеют квантовую природу - они обусловлены волновыми свойствами электронов. [11]
Итак, остов является общим структурообразующим началом и для кристаллических и для аморфных веществ. В то время как кристаллическая решетка характеризует строение, естественно, только кристаллических веществ, остов определяет тип структуры веществ как кристаллического, так и непериодического строения. Обратим внимание на то, что остов - реально существующая и притом наиболее устойчивая часть структуры, кристаллическая же решетка - это не более, чем абстракция. [12]
Как правило, оптическая активность, проявляемая кристаллом, сохраняется в других агрегатных состояниях только в том сл чае, если она обусловлена диссимметрией конечной молекулы или комплексного нона. Если это условие не выполняется, то оптическая активность не может быть выявлена, пока нет способа расщепления ( выделения d - и / - форм) или по крайней мере способа изменения относительных количеств двух изомеров. С другой стороны, оптическая активность многих кристаллов ( например, кварца, киновари, NaClO3) является результатом лишь способа соединения атомов в кристалле; в таком случае это свойство только кристаллического вещества. [13]
Количественный анализ катализаторов методом диффракции рентгеновских лучей сложен и не очень точен по следующим причинам: а) диффузный фон, образующийся как из-за особенностей аппаратуры, так и из-за различного рода неупорядоченности в кристаллитах; б) расширение линий; в) различие в отражениях от различных фаз вследствие различий в рассеивающей силе составляющих атомов; г) различия в интенсивности рассеивания, определяющиеся размерами единичной ячейки и степенью асимметрии; д) случайная интерференция линий; е) флюоресцентное излучение от образца и трудности, присущие методам измерения интенсивности линий. Применение в качестве стандарта кристаллического образца с диффракционными линиями, близкими к линиям определяемой фазы, смягчает влияние некоторых из указанных факторов. Интенсивность рассеянного рентгеновского излучения, вызванного наличием данной фазы, с поправкой на различные эффекты, указанные выше, линейно зависит от ее концентрации, но четкость диффракционнои картины зависит от величины и упорядоченности кристаллитов. Поскольку многие катализаторы приготовляются методами, обусловливающими образование относительно аморфных структур с сильно развитой поверхностью, их рентгенограммы получаются слабыми и расплывчатыми и даже качественный анализ по рентгенограммам представляет большие трудности. Смесь малых количеств кристаллического вещества с большим количеством почти аморфг ного вещества может дать диффракционную картину только кристаллического вещества. Интенсивность диффраюшонных линий увеличивается с ростом порядкового номера атомов, образующих кристаллическую решетку. В отработанных железных, кобальтовых или никелевых катализаторах синтеза углеводородов из окиси углерода и водорода обычно нельзя установить характеристический линии углерода, даже если он присутствует в значительных количествах. Однако углерод, присутствующий в виде карбидов, можно обнаружить, поскольку расстояния между отражающими плоскостями из атомов металлов в карбидах обычно отличаются от этих расстояний в чистом металле. [14]