Cтраница 3
В результате решения составленных уравнений определяемые величины могут получиться отрицательными. Отрицательное значение тока указывает на то, что фактическое направление тока на данном участке цепи обратно принятому. [31]
Отрицательное значение тока указывает i:; то, что фактическое направление тока на данном участке цепи обратно пригм-тому. [32]
В результате решения составленных уравнений определяемые величины могут получиться отрицательными. Отрицательное значение тока указывает на то, что фактическое направление тока на данном участке цепи обратно принятому. [33]
В дальнейшем ( при ttl) как энергия электрического поля емкости Wc, так и запасенная к моменту t t магнитная энергия индуктивности W, расходуется на покрытие тепловых потерь в сопротивлении R. Отрицательное значение тока свидетельствует о противоположном направлении тока разряда относительно опорного направления. [34]
В результате решения составленных уравнений определяемые величины могут получиться отрицательными. Отрицательное значение тока указывает на то, что фактическое направление тока на данном участке цепи обратно принятому. [35]
В связи с этим нужно провести анализ и получить представление о работе термоэлектрической установки во всем диапазоне возможных электрических режимов. С этой целью может быть рассмотрена единая нагрузочная характеристика ТЭУ в области как положительных, так и отрицательных значений тока. За основу может быть принят режим генератора, когда ток в ТЭУ возникает без использования внешнего источника. Именно для этого режима принимается, что ток имеет положительную величину. [36]
В отличие от симметричной характеристики простейшего усилителя ( см. рис. 129) характеристика управления магнитного усилителя с обратной связью ( рис. 132) несимметрична. В области положительных значений тока управления рабочий ток резко возрастает и так же резко уменьшается в области малых отрицательных значений тока управления. [38]
![]() |
Характеристики вход - выход магнитного усилителя с самоподмагничиванием в коммутационном режиме. [39] |
Пока не будет достигнута индукция насыщения Bs, магнитная проницаемость материала ( на участке В0 - 3 - /) будет высокой, индуктивное сопротивление хму большим, а ток нагрузки - малым. В этом полупериоде ток нагрузки будет принимать максимальные мгновенные значения с того момента, когда индукция станет равна индукции насыщения Bs. Чем больше отрицательный ток управления, тем ниже спускается по петле гистерезиса точка В0 и тем меньше среднее значение тока нагрузки за полупериод. При определенном отрицательном значении тока управления магнитный режим может оказаться таким, что индукция никогда не будет достигать величины индукции насыщения. [40]
Для однотипных транзисторов в равенстве ( 4 - 132) преобладает второе слагаемое. В схемах с более мощным вторым транзистором оба слагаемых могут быть сравнимыми. Температурная зависимость тока / кос подчиняется общим законам. Большие значения / кос позволяют работать как при положительных, так и при отрицательных значениях тока базы составного транзистора. [41]