Разностное значение
Cтраница 1
Разностное значение напряжения ( t / oi os) - U0 Um, соответствующее искомой длительности т импульса, измеряется цифровым вольтметром ( рис. 4.5), и, таким образом, экспериментатор не должен производить никаких вычислений. [1]
Изначально разностные значения равны пропускной способности. [2]
 |
Разностные значения парциальных свойств компонента Na2O в стеклах системы Na2O - SiO2. [3] |
Как видно, разностные значения gMe20 c хорошим приближением выражаются з координатном поле прямыми линиями, проходящими параллельно оси абсцисс. [4]
 |
Вид элементарного кон - - ф (. жтв dx - ( ( uFB n dt О, тура Гп в области ( х, t. [5] |
Основным свойством полученной схемы является свойство дивергентности в: ли консервативности, которое заключается в следующем: при суммировании разностных значений функции по точкам сеточной области Dn остаются только алгебраические суммы значений неизвестных или функций от них вдоль границы области. [6]
Na 0, найденные двумя способами для тройных и сложных стекол, весьма близки между собой. Они близки и к разностным значениям gNazO в двойной системе, но все же отличаются от последних. [7]
Остается неизвестной величина расщепления противофазных пар линий. В общем случае эту величину совершенно невозможно предсказать, потому что, даже если все константы имеют большие значения, соответствующие разностные значения могут оказаться малыми. Взаимное уничтожение небольшого числа пар линий в мультнплете может оказаться не существенным, если наличие корреляции можно установить по оставшимся линиям. [8]
Может быть использован и следующий путь. Если предположить, что космический аппарат обращается вокруг Земли на некоторых фиксированных высотах, то для каждой из высот возможно вычислить разностное значение визируемых широт для любой точки местонахождения аппарата на орбите. [9]
Для применения метода в области определения искомых функций вводят некоторую сетку: все производные, входящие в уравнения и краевые условия, заменяются разностными значениями в узлах сетки. Решение получающихся при этом алгебраических уравнений дает приближенные значения функций в узлах сетки. В работе [25] приведены конечно-разностные аналоги производных вместе с оценкой ошибки аппроксимации. Лучшие по точности результаты имеют двусторонняя и разностная производные. Анализ показал, что разностная производная назад имеет достаточную точность при простой структуре дифференциальных уравнений, а разностная аппроксимация вперед может приводить к значительным колебаниям в процессе решения, что обусловливает неустойчивость разностной схемы. [10]
Теоретические основы численных методов прогнозирования показателей разработки нефтяных и газовых месторождений базируются на численном интегрировании дифференциальных уравнений в частных производных неустановившейся фильтрации газа, нефти и воды ( а при необходимости и четвертой фазы закачиваемой в пласт, например, гелей) в неоднородной пористой среде при произвольном размещении на структуре нагнетательных и эксплуатационных вертикальных и горизонтальных скважин. При численном интегрировании дифференциальное уравнение в частных производных заменяется системой конечно-разностных уравнений, что означает замену производных от искомой функцнн по времени it координатам разностными значениями этой функции в соседних узловых точках. [11]
Этот прием в принципе сходен с основным, описанным выше. Однако, если при расчетах по уравнению (8.6) свойства исходного стекла известны, то здесь они должны быть вычислены. Разностные значения будут хорошо совпадать со значениями, найденными с помощью уравнения (8.6), если свойство близко к аддитивности. В противном случае возможны большие расхождения и метод расчета по разности оказывается в значительной степени субъективным. [12]
Аналогичная картина обнаруживается в кристаллах с промежуточной ионно-ковалентной связью. Как указывалось в разделе 1.3, истинное распределение электронной плотности в таких кристаллах существенно отличается от предполагаемого классической ионной моделью и в большинстве случаев неизвестно. Поэтому определить строго истинные заряды дефектов в реальных кристаллах невозможно. К счастью, это и не нужно. Из схемы, приведенной на рис. 1.4, видно, что электростатическое воздействие дефекта, находящегося в узле I, определяется не истинным значением его заряда, а тем, насколько его заряд отличается от заряда окружающих его ионов, состояние которых отвечает таковому в идеальном кристалле. Поэтому в рамках квазихимического метода зарядовое состояние атомного дефекта можно однозначно определить, приписав ему некоторый эффективный заряд, показывающий, на какую величину его заряд отличается от заряда соответствующего структурного элемента в идеальной решетке. Другими словами, эффективные заряды дефектов определяются как разностные значения по отношению к общему фону распределения плотности истинных зарядов в решетке идеального кристалла, знать которое совершенно не обязательно. Этот вывод находится в полном соответствии с представлением дефектов как относительных составляющих единиц кристалла, все свойства которых определяются по отношению к фону идеальной кристаллической решетки. [13]
Страницы: 1