Cтраница 1
Ряд схем позволяет получить прямолинейное движение пальцев, что делает такие захватные устройства универсальными. В одних случаях выходное звено устанавливается на прямолинейной направляющей. В других случаях для получения прямолинейного движения используются некоторые виды рычажных механизмов, в частности прямила, в том числе прямило Чебышева, и механизмы пантографов. [1]
Ряд схем следует отнести к системам автоматического управления. [2]
Известен ряд схем, предложенных различными авторами для объяснения механизма реакции дегидроциюшзации парафинов. [3]
![]() |
Матричное постоянное запоминающее устройство на ферритовых сердечниках. [4] |
Предложен ряд схем постоянных ЗУ на ферритовых сердечниках. На рис. 5 - 50 изображено матричное ЗУ, из которого удалены все сердечники, предназначенные для запоминания нуля. [5]
Существует ряд схем произвол В одних схемах процесс осуществляет. [6]
Существует ряд схем на переменном токе для измерения полного сопротивления Zx методом сравнения с образцовыми безреактивными сопротивлениями RN, образцовыми катушками индуктивности LN или образцовыми конденсаторами с малыми углами потерь CN. Схемы соединения измеряемого сопротивления Z и образцового Zjy могут быть также последовательными или параллельными, а в качестве измерителей можно применять амперметры, вольтметры или компенсаторы переменного тока. В зависимости от схемы измерения и применяемых приборов точность этих измерений различна. [7]
Предложен ряд схем для устранения указанной зависимости. [8]
![]() |
Схемы автоматической. [9] |
Существует ряд схем, рассмотренных ниже, с помощью которых амплитудная характеристика может быть приближена к идеальной, идущей параллельно оси абсцисс. Необходимо отметить, что, в принципе, обратная регулировка не может обеспечить идеальную форму амплитудной характеристики. [10]
![]() |
Принципиальная схема аппарата ВЧФ-1-14 для испытания витковой изоляции секций обмоток высоковольтных электрических машин. [11] |
Существует ряд схем для испытания витковой изоляции, в большинстве которых высокочастотное испытательное напряжение создается при разряде емкости на испытываемую обмотку. [12]
Известен ряд схем, которые могут быть использованы для построения промежуточных преобразователей. [13]
Имеется ряд схем и способов описания вариантов взаимного расположения атомов в кристалле. Взаимное расположение атомов в одной из плоскостей показано на схеме размещения атомов ( см. фиг. Воображаемые линии, проведенные через центры атомов, образуют решетку, в узлах которой располагаются атомы ( положительно заряженные ионы); это так называемая кристаллографическая плоскость. [14]
Имеется ряд схем и способов описания вариантов взаимного расположения атомов в кристалле. [15]