Cтраница 1
Ряд эффектов в магнитных полупроводниках возникает из-за взаимодействия носителей заряда со спиновыми волнами, в частности изменение знака магнетосопротивления. Экспериментально наблюдался эффект усиления СВЧ-излучения в магнитных полупроводниках при пропускании через них электрического тока. [1]
Ряд эффектов при выключении транзистора из насыщенного режима связан с вытеснением избыточного заряда в боковые, периферийные области транзистора. [3]
Ряд эффектов, зависящих от поляризации нейтронов и ядер, должен наблюдаться в угловом распределении и циркулярной поляризации у-лучей захвата и в поляризации рассеянных нейтронов. Однако эти эффекты еще мало исследованы. [5]
![]() |
Дисперсионная диаграмма трехволнового кол-линеарного взаимодействия звуковых волн в жидкости с пузырьками газа. Кривые изображают две ветви дисперсионной зависимости to ( k. [6] |
Ряд эффектов связан с трансляц. К их числу относится эффект нелинейного просветления пузырьковой среды, заключающийся в сильном уменьшении поглощения звука в пузырьковой среде по мере увеличения интенсивности акустич. Это происходит вследствие того, что пульсирующие в звуковом поле пузырьки сближаются и сливаются, что приводит к уменьшению числа резонансных пузырьков, диссшшрующих звуковую энергию, и поглощение среды уменьшается. [7]
![]() |
Зависимость образования Na03 при озонировании NaOH во взвешенном состоянии в интервале температур - 40 - 1 - [ - 40 С. [8] |
Ряд эффектов, которые то проявляются, то не проявляются на термограммах, видимо, характеризуют полноту удаления аммиака. [9]
Ряд эффектов в магнитных полупроводниках возникает из-за взаимодействия носителей заряда со спиновыми волнами, в частности изменение знака магнетосопротивления. Экспериментально наблюдался эффект усиления СВЧ излучения в магнитных полупроводниках при пропускании через них электрического тока. [10]
![]() |
Распределение концентрации неосновных носителей в насыщенном транзисторе. [11] |
Ряд эффектов при выключении транзистора из насыщенного режима связан с вытеснением избыточного заряда в боковые, д периферийные области транзистора. [12]
Ряд коллоидно-поверхностных эффектов в кристаллах исследован Я. [13]
Однако ряд эффектов, возникающих в аналитическом варианте теории, отсутствуют в гладком. Тем самым теория расходимости нормализующих рядов не имеет аналога в гладком случае: малые знаменатели в гладкой теории не мешают. [14]
Имеется ряд эффектов, которые, не являясь помехами в полном смысле слова, могут создавать трудности при анализе. Например, пламя, обогащенное топливом, вызывает заметное рассеяние света даже в видимой области спектра. Поскольку это рассеяние одинаково для пробы и для эталонов, эффект в общем случае устраняется в процессе установки нуля прибора. Это явление также учитывается при установке нуля. Присутствие в пламени органических растворителей является причиной дополнительной абсорбции пламени в спектральной области ниже 2500 А. Этот эффект должен корректироваться вычитанием сигнала одного растворителя ( холостого сигнала) или установкой нуля в момент сжигания чистого растворителя. Однако следует отметить, что при необходимости устранять так много эффектов установкой нуля шум при анализе становится весьма значительным. [15]