С-серия

Cтраница 2

Совокупность линий / Сп, / Св, / Ст и др. образует / С-серию. [16]

Со и / Са2 и более слабый - дублет. Довольно часто эти дублеты бывают не разрешены и тогда говорят о а-линии и 3-линии / С-серии данного элемента. Эти дублеты имеют спиновую природу. [17]

Линии в характеристическом спектре, подобно линиям в оптическом, группируются в серии. Если рентгеновские лучи образовались в результате выбивания из ближайшей к атому электронной оболочки, то образуется / С-серия, в следующей ва ней L-серия и так далее. [18]

Кроме того, интенсивность флуоресценции пропорциональна ее выходу W ( см. стр. Далее, / Co-линии / С-серии составляют только часть общей интенсивности всех линий, равную ра, величина которой зависит от величины вероятности перехода. [19]

Рентгеновские спектры.| Зависимость частот / С-серии от порядкового номера. [20]

Смещение линий характеристического рентгеновского спектра при переходе от одних элементов к другим подчиняется важному закону, открытому Мозли ( 1914): корень квадратный из частоты одной и той же линии линейно растет с порядковым номером элемента. Наиболее точно этот закон соблюдается для линий / С-серии. Все они лежат на прямых. Для линий L-серии соответствующие кривые несколько отступают от прямых, и эти отступления еще больше для линий высших серий. [21]

По типу дырок, участвующих в образовании экситонов, различают три серии экситонов: А -, В-и С-экситоны. Линии экситонных А - и В-серий перекрываются, и расшифровка экситонных спектров была бы весьма затруднительна, если бы не различная поляризационная зависимость этих серий. При различных поляризациях падающего на кристалл света можно наблюдать или линии всех серий, или только линии В - и С-серий, что дает возможность разделить налагающиеся спектры А-и Д - серий. Изучение экситонных спектров поглощения и отражения позволяет получить важную информацию о зонной структуре полупроводника и не только очень точно определить ширину его запрещенной зоны, но и рассчитать расщепление подзон валентной зоны и эффективные массы носителей заряда. Изучение зеемановского расщепления экситонных состояний в магнитном поле позволяет найти симметрию волновых функций, определяющих состояние носителей заряда в разрешенных зонах, что весьма важно для теоретического расчета зонной структуры полупроводников. [22]

Если, например, под действием первичного жесткого излучения или налетающего на атом электрона из самой внутренней / ( - оболочки атома удаляется электрон, то на его место может. Для вырывания электрона из / С-оболочки, наиболее близкой к ядру, где электроны испытывают наибольшее притяжение к ядру, требуется затрата работы вырывания электрона, называемая границей возбуждения / С-серии. Энергия налетающего электрона или первичного налетающего кванта должна быть не меньше величины этой работы. [23]

Страницы: 1 2