Cтраница 1
![]() |
Фигуры плавления парафина. [1] |
Поликристаллические вещества изотропны в массе, но каждый микрокристалл анизотропен. [2]
Поликристаллическое вещество состоит из большого числа хаотически ориентированных кристалликов. Если в облучаемом объеме образца таких кристалликов примерно 109 в 1 мм3, то практически осуществляется любая ориентация кристалликов относительно первичного пучка рентгеновских лучей. [3]
![]() |
Схема установки для выращивания монокристаллов разлагающихся соединений по способу Бриджмена. [4] |
Поликристаллическое вещество помещают в откачанную и запаянную кварцевую ампулу с заостренным нижним концом. Эта ампула перемещается с определенной скоростью внутри печи с двумя температурными зонами TI и 7Y При выращивании монокристалла сульфида свинца TI 1150, а Т2 1000 С. Кристаллизация начинается в заостренном конце ампулы и при соответствующей скорости перемещения ее получается монокристалл. Перегородка стабилизирует температурный градиент между верхней и нижней зонами печи. Скорость нарастания массы PbS составляет в среднем 10 - 5 г.сек. Монокристаллы PbS свинцово-серого цвета с металлическим блеском. [5]
Поликристаллическое вещество состоит из большого числа зерен ( кристаллитов) с различной ориентировкой. Граничные поверхности ( границы зерен) представляют собой переходные зоны с нарушенным кристаллическим строением. Различают малоугловые границы субзерен и большеугловые границы зерен. [6]
Поликристаллические вещества далеко не всегда имеют совершенный беспорядок в расположении кристалликов. В зависимости от условий кристаллизации или от условий механической обработки часто происходит нарушение совершенного беспорядка в ориентировке кристаллитов, так что все они или многие из них приобретают преимущественные ориентировки определенным кристаллографическим направлением вдоль какого-либо одного или нескольких направлений. Такие ориентировки в поликристаллах называются текстурами. [7]
Поликристаллические вещества, состоящие из крайне малых кристалликов, дают дифракционные картины, содержащие диффузные отражения. Здесь сказывается малая разрешающая способность кристаллической решетки подобно тому, как в оптическом спектре, получаемом при помощи штриховой решетки, резкость линий сильно уменьшается с уменьшением числа штрихов решетки. [8]
Электропроводность поликристаллических веществ является очень сложной величиной даже в случае полупроводников, не говоря уже о таких соединениях как у - А1203, где можно встретиться со значительным вкладом ионной проводимости, особенно при наличии протонов. [9]
Для поликристаллических веществ факторы, способствующие понижению температуры плавления, обусловлены конечными размерами кристаллитов, степенью их дефектности и наличием поверхностей раздела и связующих областей. Что касается полимеров в блоке и в растворе, то мы могли убе-диться, что их кристаллиты обладают ламеллярной структурой. Поэтому было бы интересно исследовать влияние ограниченных размеров кристаллитов на температуру плавления. При анализе необходимо различать аспекты проблемы, относящиеся только к полимерным системам или касающиеся малых кристаллитов любых веществ. Неотъемлемой чертой этого анализа является предположение, что температура плавления, характеризующая определенную морфологию, может быть экспериментально достигнута. Это значит, что нагревание, необходимое для приближения к точке плавления, не нарушает природу кристаллитов. [10]
Для реального поликристаллического вещества г) постепенно увеличивается, и это уравнение следует изменить так, чтобы оно учитывало распределение кристаллов различных размеров. [11]
В поликристаллических веществах дело обстоит совершенно таким же образом ( если только кристаллики не очень малы, так как при размерах меньше 10 - 6 см домены не образуются), каждое зерно может состоять из нескольких доменов. Однако, поскольку кристаллики разбросаны в теле своими кристаллографическими осями как угодно, постольку и магнитные моменты доменов принимают в пространстве любые направления. Таким образом, элементарные картинки намагничения, идущие еще со времен Ампера, правильно рисуют картину в случае поликристаллических веществ. [12]
В поликристаллическом веществе анизотропия - фактора приводит к изменению формы линии резонансного поглощения СВЧ-мощности. [13]
В поликристаллических веществах дело обстоит совершенно таким же образом ( если только кристаллики не очень малы, так как при размерах меньше 10 - 6 см домены не образуются), каждое зерно может состоять из нескольких доменов. Однако, поскольку кристаллики разбросаны в теле своими кристаллографическими осями как угодно, постольку и магнитные моменты доменов принимают в пространстве любые направления. Таким образом, элементарные картинки намагничения, идущие еще со времен Ампера, правильно рисуют картину в случае поликристаллических веществ. [14]
Если исследуется поликристаллическое вещество, то анизотропия g - фактора приводит к изменению формы линии ЭПР-поглощения. Анизотропия g - фактора обусловливает температурную зависимость формы линии. [15]