Наблюдавшееся значение

Cтраница 3

Влияние поверхности сухой насадки, приходящейся на единицу объема колонны, на величину Ка в градирнях с деревянной хордовой насадкой. [31]

Самое большое значение b ( 0 135), соответствующее наиболее эффективной насадке при L / G 1, получено в случае пакетов из планок размером 1 27 X 2 54 см, прикрепленных продольными брусами по краям к верху и низу башни. Планки в каждом слое размещались с интервалами 5 71 см, а пластины нижнего слоя - в пространствах, отвечающих просветам между планками верхнего слоя. Значение b для насадки, учтенное при построении кривых на рис. 7.15 и 7.18, было равно 0 06 -самому малому из наблюдавшихся значений. [32]

Этот процесс раздробления сопровождается характерным звуком, напоминающим тиканье часов. Промежуток времени Ат между отдельными скачками зависит от испытуемого тела, значения деформирующего усилия, 1 испытания и наконец его длительности; наблюдавшееся значение этого промежутка Дт колебалось в пределах от 1 / 4 ск. [33]

Полученная Русбреком и Шокли величина скорости рекомбинации в случае германия при 7Т300 К составляла 1 57 - 1013 см 3-сек-г, а величина т4 была равна 0 75 сек, что на три порядка больше любого наблюдавшегося до сих пор значения. Определенная таким же образом Гуд-вином и МакЛином [45] величина т4 для InSb при 300 К оказалась равной 0 36 мксек, что несколько больше наблюдавшегося значения, которое не превышает 10 - 7 сек. Разница здесь гораздо меньше, чем у полупроводников с более широкими запрещенными зонами. Из уравнения (8.205) видно, что с уменьшением & Е коэффициент М растет, так как максимум подынтегральной функции в правой части (8.205) сдвигается в область малых х, где она достигает гораздо больших значений. Отсюда ясно, что этот тип рекомбинации существен лишь для полупроводников с узкой запрещенной зоной при комнатной температуре и выше; маловероятно, чтобы он имел значение при низких температурах. При низких температурах существенной может оказаться рекомбинация электронов с донорными центрами, энергетические уровни которых лежат вблизи дна зоны проводимости, а также рекомбинация дырок с акцепторными центрами, энергетические уровни которых находятся непосредственно у верхнего края валентной зоны. [34]

Изменение постоянных времени можно качественно понять, предполагая, что переход электронов от полупроводника к ловушкам затруднен вследствие наличия большого потенциального барьера в пленке окисла. Электроны должны попасть в зону проводимости пленки окисла. Электрическое поле в пленке дополнительно увеличивает потенциальный барьер ( см. фиг. Очевидно, что чем больше отрицательный заряд вне окисла и чем толще пленка, тем выше потенциальный барьер. При стационарных условиях заряд возрастает при увеличении напряжения, и пленка толще на тех образцах, которые дольше выдерживались во влажной смеси кислорода и озона. Эта модель находится в качественном согласии с наблюдавшимися значениями постоянных времени. [35]

Страницы: 1 2 3