Сбар

Cтраница 1

Сбар - Спер конденсатора характеризует усредненную барьерную емкость диода. Наконец, при работе диода в статическом режиме с прямым напряжением эквивалентная схема может быть представлена последовательным соединением сопротивлений гтф, REx и источником ЭДС Епр. [1]

Сбар CD - барьерная и диффузионная емкости р - п переходов Сдо. [2]

Сд, Сбар, С даФ - суммарная, барьерная и диффузионная емкости соответственно; т - временной коэффициент, учитывающий предельную частоту работы диода. [3]

Вольт-фарадная зависимость Сбару ( 1 /) показана на рис. 2 - 5 штриховой линией. [4]

Динамическая модель / проб диода. [5]

Динамические свойства диода отражаются барьерной Сбар и диффузионной Сдиф емкостями. [6]

Добротность варикапа при этом С) в.н. ч-со Сбар у. С повышением частоты и добротность возрастает. С ростом частоты добротность падает. [7]

Энергетическая диаграмма ( а и ВАХ ( б обращенных. [8]

Неравенство ш0 шк с учетом соотношений (3.109) и (3.106) преобразуем следующим образом: L гб r Сбар. [9]

ВВ равномерно разогревается ( в частности, нитроглицерин до 1100 С при амплитуде волны 80 / сбар), наиболее сильно, разумеется, нагревается поверхность контакта с преградой. В предварительно разогретом, но еще не разложившемся ВВ волна сжатия, возникающая на фронте разложения, быстро трансформируется в ударную, которая догоняет первичную ударную волну и, таким образом, вызывает форсированную детонацию. [10]

Переходные процессы в диоде при низком уровне ишкекцин. [11]

При подаче импульса тока ( рис. 11 - 8, а) в первый момент времени tt ток протекает главным образом через Сбар, поэтому напряжение ия определяется падением напряжения на сопротивлении Гб. В этот же момент начинается заряд емкости Сбар через сопротивления гвн и гб и к напряжению на базе диода добавляется растущее со временем напряжение на емкости Сбар, а следовательно, и на переходе. [12]

Диаграммы тока п напряжения диода при прохождении импульса. [13]

Длительность этапа восстановления обратного тока зависит как от значения тр, так и от значений барьерной емкости р-п перехода Сбар и сопротивления R, Чем больше Сбар и R, тем медленнее спадает ток в течение этого этапа. [14]

Общая эквивалентная схема полупроводникового диода. [15]

Страницы: 1 2