Антиферромагнитное вещество

Cтраница 1

Антиферромагнитные вещества - магнитно упорядоченные вещества с характеристической температурой, при которой на кривой магнитной восприимчивости выявляется резко выраженный максимум. Температурные зависимости восприимчивости в области более высоких температур согласуются с уравнением ( XIV.10 при отрицательных значениях парамагнитной температуры Кюри. [1]

Антиферромагнитные вещества отличаются от ферромагнитных тем, что антиферромагнитные отражения возникают под углами 6, где ядерное рассеяние не наблюдается. [2]

Нейтронограмма а - Со. [3]

Антиферромагнитные вещества отличаются от ферромагнитных тем, что у антиферромагнитных рефлексы возникают под углами 0, где ядерное рассеяние не наблюдается. [4]

Антиферромагнитные вещества ( например, NiO, MnO, MnF2 и др.) отличаются от ферромагнитных антипараллельной ориентацией спинов соседних катионов. У этих веществ атомы ( ионы) с одинаково ориентированными спинами образуют определенные взаимопроникающие кристаллографические подрешетки, построенные из одинаковых атомов и различающиеся только ориентацией спинов. [5]

Это антиферромагнитное вещество, эффективный момент которого при комнатной температуре сильно занижен по сравнению с чисто спиновым значением для одного неспаренного электрона. [6]

В антиферромагнитных веществах, таких, как марганец, силовые поля доменов также направлены по одной линии, но в противоположных направлениях, так что большая часть магнетизма пропадает. Выше определенной температуры вещества теряют антиферромагнетизм и становятся парамагнитными. [7]

В антиферромагнитных веществах соседние магнитные моменты электронов внутри каждого домена не параллельны друг другу, как в ферромагнетиках, а строги антипараллельны: каждый магнитный момент окружен противоположно направленными магнитными моментами. Таким образом, антиферромагнетизм, как и ферромагнетизм, обусловлен магнитными свойствами коллектива неспаренных электронов, а не отдельными электронами, как парамагнетизм. Однако из-за того что все магнитные моменты в антиферромагнетиках взаимно скомпенсированы, эти вещества по величине восприимчивости близки к парамагнетикам. [8]

Диа -, пара - и антиферромагнитные вещества относятся к слабомагнитным, ферро - и ферримагнитные вещества являются сильномагнитными. [9]

Магнитный резонанс наблюдается и в ряде антиферромагнитных веществ, например в окиси хрома Сг2О3, окиси марганца МпО, а также в соединениях MnS, Mn Se и некоторых других. [10]

Магнитоэлектрический эффект служит важным инструментом исследования свойств антиферромагнитных веществ, к которым относятся окись титана, окись хрома, борсодержащие соединения и многие другие. Открытие позволяет получить сведения о магнитной структуре этих веществ без сложных нейтронографических экспериментов или дополнить и проверить их. Магнитоэлектрический эффект применяется в волноводных радиоустройствах СВЧ. [11]

Первоначальный вариант теории применим к произвольному феррпмагнитному или антиферромагнитному веществу с двумя подрешетками. Однако сравнительно нетрудно перенести основные представления и главные идеи теории непосредственно на ферримагнетик с произвольным числом подреше-ток; такой подход мы и будем использовать. [12]

Установка Квинке, используемая для исследования образцов по методу Гуи. [13]

По методу Фарадея обычно определяются силы, возникающие при исследовании ферромагнитных, ферримагнитных и антиферромагнитных веществ, при этом в методике измерения в отличие от диамагнитных и парамагнитных веществ действию магнитного поля подвергается образец небольшого объема. Это приводит к необходимости учесть зависимость действующей силы от поля или исключить ее. Метод Фарадея в отличие от метода Гуи требует значительно меньшего количества образца, что в ряде случаев очень существенно. [14]

Магнитная элементарная ячейка закиси марганца МпО. [15]

Страницы: 1 2 3