Сбласть

Cтраница 2

Функция точек / сопоставляет значения f ( x) отдельным точкам. Функция множеств F сопоставляет значения отдельным множествам или сбластям пространства. Объем в 543, площадь в 54 или длина в М1 являются типичными примерами функций множеств. Помимо этих есть много других функций множеств, и среди них вероятности представляют собой наиболее интересный для нас частный случай. [16]

После включения в файл трех следующих записей дорожка области переполнения оказывается полностью занятой, поэтому следующая замещенная запись BEN Еытесняется в независимую область переполнения. Адрес этой записи заносится в индекс в виде указателя на независимую сбласть переполнения для дорожки 2, а сама запись BEN связывается в цепочку с другими записями на дорожке переполнения основного цилиндра. Следующее включение приведет к вытеснению в независимую область переполнения записи ARL, и она будет связана в цепочку с записями на дорожке переполнения, которые ранее занимали дорожку 1 основной области. [17]

Отметим, что формулы (3.51), (3.53) несколько отличаются от соответствующих приближенных формул, полученных в [ 13а ], стр. Область (3.50) не может быть построена методом [ 13а ], поскольку этот метод основан на наличии Т - периодического или Т - антипериодического решения па границе сбласти динамической неустойчивости; такие же решения имеются лишь на границах областей основного резонанса. Отметим еще, что из результатов книги [ 13а ] отнюдь не следует, что построенные в [ 13а ] области динамической неустойчивости на самом деле являются таковыми-это лишь области подозрительные на динамическую неустойчивость. [18]

Энергетическая диаграмма лазерного диода в состоянии равновесия ( а и в рабочем режиме ( б.| Схема устройства полупроводникового инжекционного лазера. [19]

Наиболее широкое практическое применение получили инжекционные лазеры на арсениде галлия, в которых инверсная населенность достигается инжекцией неосновных носителей через р - n - переход в вырожденные области полупроводника. Применяются также InAs, InP, InSb и ряд твердых растворов. На рис. 12.20, о показан равновесный р - n - переход между двумя вырожденными областями полупроводника. Уровень Ферми в р-области ( fip) располагается ниже вершины валентной зоны Ev, а в n - сбласти ( цп) - выше дна зоны проводимости Ес. Такое расположение уровней Ферми свидетельствует о том, что состояния вблизи вершины валентной зоны р-области с вероятностью, близкой к 1, свободны ( заполнены дырками), а состояния вблизи дна зоны проводимости - области с той же степенью вероятности заполнены электронами. [20]

Страницы: 1 2