Cтраница 1
Сборка транзисторов пригодна для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки и паяльником. [1]
Технология сборки транзисторов 2Т826А - 5 в гибридные схемы, применяемые детали и материалы должны обеспечить значение теплового сопротивления при котором в процессе работы температура р-п перехода не превышает 150 С. [2]
Технология сборки транзисторов в гибридные схемы, применяемые детали и материалы должны обеспечить значение теплового сопротивления, при котором в процессе работы температура р - n перехода не превышает - Н50 С. [3]
Технология сборки транзисторов в гибридную схему, применяемые детали и материалы должны обеспечить значение теплового сопротивления переход - корпус, при котором в процессе работы температура перехода не превышает 150 С. [4]
Разрешается производить монтаж сборки транзисторов в гибридную схему припайкой металлизированного основания кристаллодержателя к теплоотводящей поверхности при температуре пайки не выше 180 С. [5]
Этой операцией завершается процесс сборки транзисторов. Приварку крышки корпуса к основанию выполняют на электросварочном станке аналогично той же операции для светодиодов. [6]
Этой операцией завершается процесс сборки транзисторов. Сварка корпуса производится на электросварочном станке. Основание и крышку корпуса прижимают друг к другу и через соприкасающиеся поверхности пропускают импульс электрического тока. [7]
Доклад Сигейру Кобаяси ( бывший директор предприятия по сборке транзисторов компании Сони в Атсуге) Сони обеспечивает наилучшее использование персонала указал на положительное воздействие группового принятия решений на уровень управления. [8]
Эта операция позволяет подвести предварительный итог качеству сборки транзистора. Заготовки транзисторов подключают к измерительному устройству, и те из них, у которых граничная частота генерации меньше заданной, отбраковывают. Годные заготовки поступают на следующую операцию. [9]
Эта операция позволяет подвести предварительный итог качеству сборки транзистора. Заготовку вставляют в измерительное приспособление, подключенное к измерительному устройству. Заготовки транзисторов, у которых граничная частота генерации меньше заданной, отбраковывают. Годные заготовки поступают на следующую технологическую операцию. [10]