Cтраница 1
Излучаемый свет направляется в спектральный аппарат через весьма узкую ( сотые доли миллиметра) щель. [1]
![]() |
Лазер на рубине. а - схема уровней Сг3. б - рубиновый стержень. в - схема генератора.| Схема подсветки через торец. [2] |
Излучаемый свет имеет длину волны 10650 А; выходная мощность порядка мет. [3]
Излучаемый свет распространяется волнообразно. Оранжевая линия спектра этого света, имеющая строго определенную длину волны, равную 0 6057 мк, принята для выражения эталона длины. [4]
Сила излучаемого света на оси отсчета должна составлять 4 - 60 кд и 2 - 12 кд соответственно для передних и задних габаритных огней. [5]
Частота излучаемого света поэтому очень велика. Так возникают монохроматические рентгеновы лучи. [6]
Цвет излучаемого света зависит от распределения энергии в пределах видимого спектра. [7]
Интенсивность излучаемого света у циклических соединений в общем значительно больше, чем у соединений с открытой цепью углеродных атомов. [8]
Характеристики излучаемого света будут определяться тем, как была организована микросистема. Для начала допустим, что она имеет лишь два энергетических состояния - верхнее и нижнее и нет препятствий для перехода из одного а другое. [9]
![]() |
Спектры флуоресценции, записанные в разных. [10] |
Интенсивность излучаемого света связана с концентрацией флуоресцирующего вещества в растворе прямой зависимостью, благодаря чему методика количественного анализа по спектрам флуоресценции довольно проста. Строят график зависимости флуоресценции от концентрации для серии стандартных растворов и затем по интенсивности флуоресценции анализируемого образца определяют его концентрацию. Это условие выполняется для разбавленных растворов. Если необходимо исследовать концентрированные растворы, берут тонкие слои. [11]
Длина волны излучаемого света определяется разностью энергий уровней, между которыми происходит переход электронов. В арсениде галлия и фосфиде индия эта разность близка к ширине запрещенной зоны полупроводника. То же самое относится к зеленой полосе люминесценции в фосфиде галлия. [12]
Длина волны излучаемого света определяется разностью энергий уровней, между которыми происходит переход электронов. В арсениде галлия и фосфиде индия эта разность близка к ширине запрещенной зоны полупроводника. [13]
Длина волны излучаемого света определяется разностью энергий двух энергетических уровней, между которыми происходит переход электронов на излучательном этапе процесса рекомбинации. В связи с разной шириной запрещенной зоны у различных полупроводниковых материалов и разной глубиной залегания в запрещенной зоне энергетических уровней различных примесей, обеспечивающих излучательную рекомбинацию носителей заряда, длина волны излучаемого света различна в разных светодиодах. Так, максимум спектральной характеристики светодиодов, изготовленных на основе монокристаллов твердых растворов фосфида и арсенида галлия GaAs Pj, лежит в пределах от 565 км ( желтое излучение) для светодиодов из фосфида галлия до 920 нм ( близкое инфракрасное излучение) для светодиодов из арсенида галлия. [15]