Cтраница 1
Инжекционные светодиоды представляют собой излучающий р - - переход, свечение которого вызвано рекомбинацией носителей тока ( дырок и электронов) при смещении перехода в прямом направлении. [1]
![]() |
S. 4. Электролюминесцентный конденсатор. [2] |
Инжекционные светодиоды ( рис. 15.5) представляют собой излучающий р - n - переход, свечение которого обусловлено интенсивной рекомбинацией в нем носителей тока при смещении перехода в прямом направлении. [3]
![]() |
Источники оптических излучений. [4] |
Инжекционные светодиоды ( рис. 20.17, б, в) представляют собой излучающий р-п переход, свечение которого обусловлено интенсивной рекомбинацией в нем носителей тока. Инжекционные светодиоды имеют миниатюрное исполнение. [5]
![]() |
Принципиальная схема НИ аналоговой системы с оптическим каналом связи и автономным питанием. [6] |
Построение аналоговых систем с инжекционными светодиодами основывается на практически линейной зависимости яркости излучения светодиодов от величины протекающего по ним тока. Поэтому выходным параметром преобразователя целесообразно делать ток. [7]
![]() |
Схематическое устройство семисегмеитных цифровых индикаторов различных.| Газоразрядный индикатор. [8] |
Полупроводниковые индикаторы ( ПИ), или инжекционные светодиоды, в которых используется свечение а - - перехода при ин-жекции носителей, выпускаются ( рис. 7 - 42, г) многознаковыми. Высокая яркость свечения, нелинейные вольт-амперные характеристики и нелинейная зависимость силы света от плотности тока позволяют использовать ПИ в динамических ЦОУ с высокой эффективностью. [9]
![]() |
Оптрон с внутренней ( а и внешними ( б фотонными. [10] |
Наиболее широкое распространение в качестве электролюминесцентных источников получили инжекционные светодиоды, в которых испускание света определяется механизмом межзонной рекомбинации электронов и дырок. [11]
![]() |
К объяснению принципа действия инжекционного светодиода. [12] |
Наиболее широкое распространение в качестве электролюминесцентных источников получили инжекционные светодиоды, в которых испускание света определяется механизмом межзонной рекомбинации электронов и дырок. Такая инверсная заселенность не является равновесной и приводит к хаотическому испусканию фотонов при обратных переходах электронов. Возникающее при этом в р-л-переходе некогерентное свечение и является электролюминесценцией. [13]
В Качестве фотоизлучателей в большинстве оптоэлектронных устройств применяют инжекционные светодиоды и лазеры. Их производят в виде матриц на одном базовом кристалле по той же технологии, что и интегральные микросхемы. [14]
К широко применяемым источникам света относятся электролюминесцентные конденсаторы, инжекционные светодиоды и лазеры. [15]