Минимальное значение - емкость
Cтраница 2
Для генерирования коротких импульсов необходимо уменьшать емкость С и индуктивность Lm. Минимальное значение емкости ограничивается величиной, при которой за время Aj напряжение на ней сохраняется практически неизменным, и приблизительно составляет Смин - ( З - г - 10) 103 пф. Так как сопротивление резистора RK обычно мало, им можно пренебречь. [16]
 |
Трехфазная схема мостового выпрямителя с каскадами умножения напряжения. [17] |
Максимальная величина емкости выбирается из условия C Ipn6 / 6Umfc, где / раб - рабочий ток на нагрузке; Um - амплитуда линейного входного напряжения; / с - частота сети. Минимальное значение емкости ограничивается, в основном, величиной обратного тока вентилей, и поэтому следует принимать C / oop / t / m / c, гДе обр - обратный ток диодов. [18]
При определении добротности контура его катушку индуктивности подключают к зажимам Lx, а емкость - к зажимам Сх. Устанавливают минимальное значение емкости образцового конденсатора. [19]
Если характеристики каналов ( скорость, нагрузка) одинаковы, то по каждому каналу можно выделить одно и то же число блоков, которое получается путем деления полной емкости памяти на число каналов. Эта величина является минимальным значением емкости памяти по каждому каналу. При таком значении емкости памяти возможны отказы в приеме информации. Чтобы избежать отказов, к полученному минимальному значению добавляется еще один блок. Суммарное выражение характеризует требуемую емкость памяти для одного канала. [20]
Входной контроль тиристоров в целях отбора приборов, обладающих повышенной помехоустойчивостью, возможен, как следует из (3.78), прежде всего по трем параметрам: емкости центрального перехода С и параметрам критического заряда / у ст и такл. Выбор тиристоров с максимальной группой по критической скорости нарастания напряжения практически гарантирует минимальное значение емкости С для данного типа приборов. Разброс по т кл обычно относительно невелик, в то время как различие в значениях статического тока управления может составлять два порядка величины и более. Поэтому входной контроль тиристоров по статическому току управления позволяет существенно повысить помехоустойчивость тиристоров. Кроме того, как уже отмечалось, в низковольтных схемах воздействие эффекта dU / dt на тиристоры с высоким значением / У Ст практически отсутствует; снижается также и влияние эффекта локализации энергии в таких приборах. [21]
Как правило, это оказывает влияние в первую очередь на линейность генерируемого напряжения. Поэтому минимальное допустимое значение тока ic на один-два порядка превосходит сумму тока утечки запертого ключа и тока нагрузки ( входного тока развязывающего усилителя), а это в свою очередь определяет минимальное значение емкости конденсатора С. Существенные преимущества дает применение в качестве ключей и в усилителе полевых транзисторов, которые позволяют обеспечить ток закрытого ключа и входной ток усилителя, на два-четыре порядка меньший, чем биполярные транзисторы. Использование полевых транзисторов позволяет получить длительность прямого хода в сотни миллисекунд и более при сравнительно небольших значениях С. Максимальное значение ic ограничивается мощностью применяемых транзисторов. Уменьшение емкости С возможно до тех пор, пока она остается много большей паразитных емкостей схемы и входных емкостей усилителя и ключа. [22]
 |
Установка для измерения уровня жидкости емкостным методом. [23] |
Изменения этой емкости измеряются компенсационной схемой переменного тока. Емкостный преобразователь Сх, конденсатор сравнения Сп и вторичные обмотки трансформатора LI и L2 образуют цепь переменного тока ( рис. 4 - 57), которая находится в состоянии равновесия при минимальном значении емкости Сх. Это соответствует минимальному уровню жидкости в резервуаре или пустому резевуару и положению потенциометра Р в положении минимум. В этом случае выходное напряжение иЪЪ1 0, и двигатель находится в состоянии покоя. [24]
В области потенциалов ( - 0 4) - - ( - 0 7) в при этом наблюдается заметное снижение значений емкости, а также значительное возрастание поляризационного сопротивления. Минимальным значениям емкости в этой области соответствует резкое увеличение поляризационного сопротивления. [25]
 |
Упрощенные схемы куметров. [26] |
Контурным методом измеряют и добротность колебательного контура Q. Катушку индуктивности подключают к зажимам Lx, а конденсатор - к зажимам Сх. Устанавливают минимальное значение емкости образцового конденсатора. Частоту генератора перестраивают до наступления резонанса напряжений в последовательном контуре. [27]
Если сопротивление нагрузки достаточно велико, амплитуда импульса напряжения будет определяться суммарной емкостью нагрузки и выходной емкостью самого детектора С. Если т С КС ( что необходимо для полного сбора заряда), импульс напряжения за время т достигает значения q / C, а затем спадает по экспоненте с постоянной времени RC. Для получения максимальной амплитуды импульса, естественно, необходимо минимальное значение емкости и возможно большее входное сопротивление. Одновременно надо учитывать и то обстоятельство, что детекторы могут быть удалены от регистрирующей схемы, и согласующее устройство должно обладать низким выходным сопротивлением. Всем этим требованиям лучше всего удовлетворяет эмит-терный повторитель, который и нашел наиболее широкое применение в качестве входного каскада. Однако, учитывая особенности свойств полупроводниковых триодов, для обеспечения удовлетворительных характеристик приходится принимать специальные меры. [28]
Контурным методом измеряют и добротность колебательного контура Q. Один из способов реализуется в схеме куметра ( рис. в. При этом катушку индуктивности контура подключают к зажимам L, а конденсатор - к зажимам Сх. Устанавливают минимальное значение емкости образцового конденсатора. [29]
Из выражения (VII.9) следует, что дифференциальная емкость двойного слоя меняется с изменением потенциала электрода. Если учесть, что при потенциале нулевого заряда кривая р-ср имеет перегиб, то на кривой С - ф следует ожидать экстремума. На этом основан метод определения потенциалов нулевого заряда, получающихся из кривых зависимости дифференциальной емкости двойного слоя от потенциала электрода. Потенциал, отвечающий минимальному значению емкости, соответствует потенциалу нулевого заряда металла. Этот метод по точности лишь немногим уступает методу электрокапиллярных кривых и пригоден для определения фн и жидких, и твердых металлов. [30]
Страницы: 1 2 3