Интегральная светочувствительность

Cтраница 1

Интегральная светочувствительность фоторезиста - светочувствительность при воздействии света всех длин волн, поглощаемых фоторезистом. [1]

Схема вентильного селенового фотоэлемента. [2]

Интегральная светочувствительность купроксных фотоэлементов около 100 мка / лм, а максимальная светочувствительность соответствует длине волны 500 ммк. [3]

Диаграмма спектральной чувствительности окиси цинка. [4]

Интегральная светочувствительность промышленно изготовляемой электрофотографической бумаги составляет 0 045 единиц ГОСТа. Предполагается выпуск сенсибилизированных бумаг, чувствительность которых в 70 - 100 раз выше. [5]

Увеличение интегральной светочувствительности при сенсибилизации фотополупроводниковых слоев дает возможность снизить экспозицию с 40 - 50 до 1 - 3 сек. [6]

Для интегральной светочувствительности т ] всегда меньше 1 и зависит от ктт в области активации, ут, толщины слоя и характера S - S-поглощения. При этом с увеличением области активации F резко возрастает. Так, увеличение длинноволнового края S - S-поглощения от 350 до 450 нм и соответственно рост перекрывания спектров излучения источника со сплошным излучением и поглощения слоя может приводить к увеличению F в 3 - 5 раз. [7]

Схема вентильного селенового фотоэлемента. [8]

В последнее время разработаны также серноталлиевые фотоэлементы, обладающие интегральной светочувствительностью до 5000 мка / лм с максимумом светочувствительности в длинноволновом участке спектра ( 950 - 1000 ммк) и серносеребряные фотоэлементы, отличающиеся стабильностью действия. [9]

Известно много фотополупроводников, имеющих достаточно высокое темновое удельное сопротивление и сравнительно большую интегральную светочувствительность. Однако эти материалы по тем или иным причинам не удается использовать для изготовления электрофотографических бумаг. [10]

Однако можно выделить группу основных требований, которым должны отвечать все фоторезисты: высокая интегральная светочувствительность и необходимая спектральная чувствительность; высокая разрешающая способность; однородность по всей поверхности, беспористость и стабильность во времени слоя фоторезиста с высокой адгезией к материалу подложки; получение резко дифференцированной границы между участками, защищенными и не защищенными фоторезистом; устойчивость к химическому воздействию; отсутствие загрязнений продуктами фотохимических превращений фоторезиста; доступность материалов, относительная простота, надежность и безопасность применения. [11]

Слой этого сополимера благодаря содержанию двух этиленовых связей, сопряженных через арильное кольцо, отличается высокой интегральной светочувствительностью. Сополимеры легко наносятся на различные подложки: бумагу, стекло, полимеры, металлы, керамику. [12]

Зависимость относительной светочувствительности. [13]

При введении хлорного золота в эмульсию наблюдается соответствие между ходом монохроматических кривых примесного спектрального поглощения и кривой относительной интегральной светочувствительности: максимальные значения обеих величин достигаются при одной и той же концентрации введенного раствора хлорного золота. Введение же в липмановскую эмульсию роданида золота приводит к непрерывному повышению светочувствительности при неоднозначном изменении примесного спектрального поглощения. Обнаруженная картина изменения поглощения связана, вероятно, с эволюцией образующихся примесных центров, а именно с различием скоростей их накопления и коагуляции. При введении небольших концентраций раствора хлорида и роданида золота ( до 0 02 %) скорость накопления центров, вероятно, превышает скорость их коагуляции; при увеличении же концентрации золота ( до 0 04 %) превалирует скорость коагуляции, что и вызывает снижение величины спектрального поглощения. [14]

Использование в качестве полимерной основы фоторезистов циклизованных полимеров представляется чрезвычайно перспективным - в них эффективен фотолиз азидов и темновые реакции нитренов, структурирующих циклокаучуки, таким образом, интегральная светочувствительность фоторезистов достаточно высока. Циклокаучуки, обладая малой ММ, дают твердые и плотные пленки, они позволяют после экспонирования создать высокоразрешенные рельефы. В азидсодержащих фоторезистах для коротковолнового УФ-света ( WR-резистов), полученных на основе циклокаучу-ков, разрешение достигает субмикронных размеров. [15]

Страницы: 1 2