Cтраница 1
Схема тлеющего разряда и распределение потенциала в нем. - катодное свечение, 2 - область катодного падения. [1] |
Свечение тлеющего разряда распадается на ряд зон, из которых для нас важны две - катодное свечение и положительный столб. Катодное свечение расположено вблизи поверхности катода. В этой области возбуждаются линии газа с относительно высокими потенциалами возбуждения, часто светятся также линии материала катода. [2]
Свечение тлеющего разряда распадается на ряд зон, из которых наиболее важны две - катодное свечение и положительный столб. На рис. 10.20 показана схема тлеющего разряда и распределение в нем потенциала. Наибольший градиент потенциала имеет место в области катодного падения. [4]
Свечение тлеющего разряда используется в лампах дневного света, для сигнализации на аэродромах ( неоновые маяки), для реклам. Помимо этого, тлеющий разряд широко применяется в электровакуумной технике. Если, например, сделать анод и катод из металлов с резко различной работой выхода ( или один из электродов сделать игольчатым, а другой плоским), то трубка может служить выпрямителем. Когда катодом является металл с малой работой выхода ( или он обладает игольчатой формой), положительные ионы выбивают из него электроны, и разряд горит. При обратной полярности вторичной электронной эмиссии нет, и ток через трубку не идет. [5]
Свечение тлеющего разряда распадается на ряд зон, из которых наиболее важны две - катодное свечение и положительный столб. [7]
Ширина свечения тлеющего разряда у работающего катода около 2 мм, неработающие катоды экранируют около 20 % светового потока. Цвет свечения знаков зависит от вида наполняющего газа. Большинство знаковых индикаторов имеют оранжево-красный цветсвечения. [8]
Вольт-амперная характеристика диодного газоразрядного промежутка.| Области тлеющего разряда. [9] |
Яркость свечения тлеющего разряда при прочих равных условиях пропорциональна току. Однако увеличение тока для повышения яркости приводит к интенсивному распылению материала катода. [10]
Схематическое устройство семисегментных цифровых индикаторов различных. [11] |
Газоразрядные индикаторы ( ГИ), принцип действия которых основан на использовании свечения тлеющего разряда, выпускаются одно - ( рис. 7 - 43) и многознаковыми. В однознаковых ГИ изолированные катоды изогнуты в форме цифр от 0 до 9 и расположены ажурным пакетом в газовом промежутке. Газоразрядные панели представляют собой плоскую конструкцию с керамическим основанием, на которое нанесены металлические сегменты-катоды, и стеклянной крышкой с напыленными прозрачными анодами. В динамическом режиме Г И показывают более высокие эксплуатационные характеристики - увеличивается срок службы и повышается четкость изображения. Высокое управляющее напряжение затрудняет использование ГИ в сочетании с интегральными микросхемами. [12]
Газоразрядные индикаторы ( ГИ), принцип действия которых основан на использовании свечения тлеющего разряда. В однознаковых ГИ изолированные катоды изогнуты в форме цифр от 0 до 9 и расположены ажурным пакетом в газовом промежутке. Газоразрядные панели представляют собой плоскую конструкцию с керамическим основанием, на которое нанесены металлические сегменты-катоды, и стеклянной крышкой с напыленными прозрачными анодами. В динамическом режиме ГИ имеют более высокие эксплуатационные характеристики - увеличивается срок службы и повышается четкость изображения. [13]
Схематическое устройство семисегмеитных цифровых индикаторов различных.| Газоразрядный индикатор. [14] |
Газоразрядные индикаторы ( Г И), принцип действия которых основан на использовании свечения тлеющего разряда, выпускаются одно - ( рис. 7 - 43) и многознаковыми. В однознаковых ГИ изолированные катоды изогнуты в форме цифр от 0 до 9 и расположены ажурным пакетом в газовом промежутке. Газоразрядные панели представляют собой плоскую конструкцию с керамическим основанием, на которое нанесены металлические сегменты-катоды, и стеклянной крышкой с напыленными прозрачными анодами. В динамическом режиме Г И показывают более высокие эксплуатационные характеристики - увеличивается срок службы и повышается четкость изображения. Высокое управляющее напряжение затрудняет использование ГИ в сочетании с интегральными микросхемами. [15]