Cтраница 1
Заряженный агрегат испытывают на герметичность фреоном в ванне с водой, температура которой поддерживается в пределах 40 - 45 С. [1]
Эта вторая полоса для положительно заряженного агрегата должна лежать в более коротковолновой части спектра, чем полоса для соответствующего нейтрального агрегата. [2]
Позднее будут приведены примеры бесконечных заряженных агрегатов атомов, являющихся, безусловно, тоже комплексными ионами, но существующих, в противоположность конечным ионам, только в кристаллах. [3]
После проверки герметичности галоидной лампой агрегат окрашивают ( эмаль МС-17) и взвешивают. Массу заряженного агрегата указывают в ремонтном паспорте. [4]
Положительные дырки, которые по своим химическим свойствам эквивалентны атомам галоида, могут: а) удаляться через поверхность микрокристалла и реагировать с водой, желатиной или специально добавленным акцептором галоида, как это было указано Герни и Моттом; б) вызывать регрессию путем воздействия либо на скрытое изображение, либо на более мелкие центры; в) соединяться с вакантными серебряными узлами. Вначале положительные дырки могут захватываться вакантными серебряными узлами, а затем медленно освобождаться в результате теплового движения. В этом случае положительные дырки будут обладать некоторой вероятностью вызывать регрессию всех видов скрытого изображения, исключая изображение, состоящее из положительно заряженных агрегатов / - - центров. Некоторая доля этих освобожденных положительных дырок всегда должна выделяться через поверхность. [5]
Поверхность агрегата может заряжаться благодаря избирательной адсорбции ионов из дисперсионной среды или диссоциации молекул в поверхностном слое агрегата. В соответствии с правилом Пескова - Фаянса адсорбируются преимущественно ионы, входящие в состав агрегата, либо специфически взаимодействующие с ним. Ионы, сообщающие агрегату поверхностный заряд, называются потенциалопределяю-щими. Заряженный агрегат составляет ядро мицеллы. Заряд ядра компенсируется эквивалентным зарядом противоположно заряженных ионов - противоионов, расположенных в объеме среды. Противоионы, находящиеся непосредственно у поверхности ядра ( на расстояниях, близких к диаметрам ионов), помимо электростатических сил испытывают силы адсорбционного притяжения поверхности. [6]
Поверхность агрегата может заряжаться благодаря избирательной адсорбции ионов из дисперсионной среды или диссоциации молекул в поверхностном слое агрегата. В соответствии с правилом Пескова - Фаянса адсорбируются преимущественно ионы, входящие в состав агрегата, либо специфически взаимодействующие с ним. Ионы, сообщающие агрегату поверхностный заряд, называются потенциалопределяю-щими. Заряженный агрегат составляет ядро мицеллы. Заряд ядра компенсируется эквивалентным зарядом противоположно заряженных ионов - противоионов, расположенных в объеме среды. Противоионы, находящиеся непосредственно у поверхности ядра ( на расстояниях, близких к диаметрам ионов), помимо электростатических сил испытывают силы адсорбционного притяжения поверхности. [7]
Плоскостной агрегат / - центров будет окружен силовым полем, подобным полю, связанному со смещением граней. В обоих случаях агрегат приобретает эффективный положительный заряд. Предполагается, что этот положительно заряженный агрегат будет устойчив при комнатной температуре. Междуузельный ион серебра обладает большей подвижностью, чем вакантный галоидный узел, и поэтому он должен быть захвачен как только агрегат достигнет критического размера. Однако энергия диссоциации такой системы будет значительно ниже, чем у агрегата, состоящего только из / - центров; поэтому менее подвижный вакантный галоидный узел должен в конце концов приблизиться и прикрепиться к периферии агрегата, а междуузельный ион серебра покинет агрегат. Таким образом, описанные дополнительные процессы, протекающие в присутствии междуузельных ионов серебра, не вызывают какого-либо существенного изменения предложенной ранее модели устойчивого скрытого изображения. Возможно, однако, что промежуточная фаза представляет собой неустойчивое скрытое изображение. [8]
Мы постулируем, что изолированные F-центры в серебряно-галоидных кристаллах неподвижны при комнатной температуре, но что они могут медленно мигрировать механизмом термической диффузии электрона ( туннельный эффект) в соседний вакантный галоидный узел. Этим обусловливается возможность медленной термической агрегации изолированных F-центров, приводящей к образованию пар и полиагрегатов, причем скорость агрегации зависит от концентрации и подвижности вакантных галоидных узлов. Имеются два других возможных механизма образования агрегатов F-центров. Агрегаты F-центров ниже критического размера должны соединяться с вакантными галоидными узлами, образуя положительно заряженные агрегаты, обладающие некоторым временем жизни до момента их вторичной термической диссоциации. Если за это время жизни такому положительному агрегату будет передан электрон, то возникнет устойчивый нейтральный агрегат. Такой процесс может протекать при освещении кристалла, содержащего F-центры. Наконец, неподвижные пары F-центров и более крупные агрегаты также являются устойчивыми ловушками электронов, причем образующийся отрицательно заряженный центр способен притянуть положительно заряженный дефект решетки. [9]