Cтраница 1
Схема установки для измерения динамических параметров. [1] |
Амплитудное значение обратного напряжения контролируется вольтметром VI. При обратной полуволне напряжения фактически все напряжение прикладывается к измеряемому диоду, так как сопротивление остальных элементов схемы ничтожно мало по сравнению с обратным сопротивлением р-д-перехода. [2]
Амплитудное значение обратного напряжения контролируется вольтметром V. При обратной полуволне напряжения фактически все напряжение прикладывается к измеряемому диоду, так как сопротивление остальных элементов схемы ничтожно мало по сравнению с обратным сопротивлением р - п перехода. [3]
Сравнительно небольшое амплитудное значение обратного напряжения, что следует из (12.89), является существенным достоинством данной схемы по сравнению со схемой трехфазного выпрямителя с нейтральным выводом. [4]
В, а по величине допустимого амплитудного значения обратного напряжения подразделяются на 14 классов от 50 до 10ОО В. [5]
Номинальной величиной обратного напряжения вентиля называется амплитудное значение обратного напряжения, при котором вентиль может длительно работать в установленной схеме. Номинальное значение обратного напряжения для однополу-периодной схемы принимается равным половине того напряжения, при котором получается перегиб кривой зависимости обратного тока от напряжения при максимальной рабочей температуре. [6]
Таким образом, имея источник переменного синусоидального напряжения, можно контролировать амплитудное значение обратного напряжения непосредственно по вольтметру, если шкала последнего будет отградуирована в амплитудных значениях. [7]
Рассмотренные диоды выпускаются на прямые токи от нескольких миллиампер до сотен ампер и на амплитудные значения обратного напряжения от нескольких до тысяч вольт. Плоскостные диоды с большим обратным напряжением изготовляются с использованием специальных технологических приемов, а не последовательным соединением в столбик, как в случае селеновых выпрямителей. Выпрямители па большие токи почти всегда имеют специальные устройства для охлаждения. [8]
Плоскостные кремниевые вентили. [9] |
При последовательном соединении диодов Д202 - Д205 рекомендуется каждый диод шунтировать сопротивлением 70 ком на каждые 100 в амплитудного значения обратного напряжения, диоды Д206 - Д211 - 100 ком на каждые 100 в амплитудного значения обратного напряжения. [10]
Последовательное соединение этих диодов возможно при условии шунтирования каждого диода сопротивлением, величина которого определяется из расчета 70 ком на каждые 100 в амплитудного значения обратного напряжения. [11]
Другой не менее важной причиной, по которой желательно обеспечить плавный закон распределения примеси, является требование достаточно высокого обратного напряжения, потому что в режиме умножения или деления частоты амплитудное значение обратного напряжения может достигать нескольких десятков вольт. При высоких концентрациях N0 ( pn - мало) это требование является противоречивым. Однако при плавном законе распределения примеси ширина перехода становится больше, и вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается. Приведенные выше формулы ( 113) и ( 114) для ия не могут быть использованы в данном случае, так как они получены для резкого перехода. [12]
Одной из важных характеристик полупроводникового вентиля является его вольт-амперная характеристика ( рис. 16 - 8), которая выражает зависимость тока через вентиль от среднего значения приложенного прямого напряжения и амплитудного значения обратного напряжения в определенном диапазоне температур. [14]
Плоскостные кремниевые вентили. [15] |