Свойство - электронно-дырочный переход
Cтраница 1
Свойство электронно-дырочного перехода разделять генерированные светом носители тока может быть использовано при создании приборов с внутренним усилением. [1]
 |
Схема электронно-дырочного перехода ( а, распределение носителей заряда ( б и токов в нем ( в. [2] |
Это свойство электронно-дырочного перехода практически используется в большинстве полупроводниковых приборов. [3]
На свойства электронно-дырочного перехода оказывают влияние его емкости. [4]
Отклонения свойств электронно-дырочных переходов от идеальных рассматривались в § 2.8 и 2.9. Эти же отклонения существуют и в электронно-дырочных переходах полупроводникового триода. [5]
Характер электрического пробоя определяется свойствами электронно-дырочного перехода. Значение пробивного напряжения определяется удельным сопротивлением исходного материала; оно обычно ниже теоретического из-за наличия дефектов в исходном материале и явления поверхностного пробоя. [6]
В рассмотренных ранее диодах использованы свойства электронно-дырочного перехода, который можно рассматривать как контакт между слоями полупроводника электронного и дырочного типов. В поверхностно-барьерных диодах или диодах Шоттки используются свойства контакта металл - полупроводник. [7]
До сих пор при изучении свойств электронно-дырочных переходов допускалось, что в области объемного заряда не происходят процессы рекомбинации или генерации носителей. На первый взгляд может показаться, что количество носителей, рекомбинирующих ( или генерируемых) в области объемного заряда, относительно невелико из-за малой толщины этой области. Однако детальное рассмотрение этого вопроса показывает, что время жизни носителей в области объемного заряда существенно меньше, чем в объеме полупроводника, так что вклад генерационно-рекомбинационных процессов в образование токов через электронно-дырочный переход оказывается иногда существенным. [8]
Принцип действия полупроводниковых диодов основан на свойствах электронно-дырочного перехода. Вольт-амперная характеристика диодов в прямом и обратном включениях имеет различные свойства. [9]
Рассмотрим влияние генерационных и рекомбинационных процессов на свойства электронно-дырочного перехода при прямом и обратном включениях. [10]
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем основан на использовании свойств электронно-дырочного перехода ( р-и-перехода) - переходного слоя между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность р-типа, а другая - и-типа. [11]
Температурная зависимость параметров в основном обусловливается изменением характера проводимости полупроводниковых материалов и соответственным изменением свойств электронно-дырочных переходов. [12]
 |
Структуры плоскостных. [13] |
Полупроводниковым диодом называют электропреобразовательный прибор с двумя выводами, принцип действия которого основан на использовании свойств электронно-дырочного перехода или поверхностного потенциального барьера кристалла полупроводника. [14]
При изучении курса Полупроводниковые приборы студенты должны ознакомиться с задачами полупроводниковой электроники и с полупроводниковыми приборами, основанными как на свойствах электронно-дырочных переходов, так и на управляемой внешними энергетическими воздействиями объемной и поверхностной электропроводности полупроводников. Поэтому в книге уделено внимание не только транзисторам и диодам, но и различным управляемым резисторам, фотоэлектрическим, излучающим и термопреобразовательным приборам. [15]
Страницы: 1 2