Cтраница 1
![]() |
К вопросу определения коэффициента поглощения и показателя преломления по свойствам отражения от поверхности. [1] |
Свойства тонких пленок, получаемых испарением в вакууме, могут сильна отличаться от свойств массивных образцов; поэтому полученные предыдущим методом результаты будут соответствовать совершенно иному состоянию вещества. [2]
Свойства тонких пленок GaAs, CdTe, InP, Zn3P2, CdSe, Cu2Se и CuInSe2 рассмотрены в гл. [3]
![]() |
Зависимость прочности триацетатцеллюлозных пленок от времени термообработки их при 100.| Зависимость удлинения триацетатцеллюлозных пленок от времени термообработки их при 100. [4] |
Улучшение свойств тонких пленок из триацетата целлюлозы может быть достигнуто созданием мягких условий процесса пленкообразования, благоприятствующих получению относительно равновесной структуры. Для этого в верхнем сушильном канале машины непосредственно под лентой устанавливаются змеевики, обогреваемые горячей водой. Подача теплоносителя в сушильные каналы машины должна быть рассчитана так, чтобы в верхнем канале движение потоков парогазовой смеси было минимальным. [5]
Структура и свойства тонких пленок, полученных путем термического испарения в вакууме, в значительной степени определяются условиями их конденсации и зависят от природы испаряемого вещества и соответствия его структуры структуре подложки; природы подложки, степени ее очистки, микрорельефа и температуры поверхности в процессе конденсации на ней испаряемого вещества; степени вакуума и состава остаточной среды в процессе испарения вещества и его конденсации; скорости испарения вещества; угла падения молекулярного пучка на подложку; толщины пленки. [6]
Структура и свойства тонких пленок в значительной мере определяются условиями их конденсации и зависят от природы испаряемого вещества и соответствия его структуре подложки, материала подложки, температуры поверхности, степени вакуума, скорости испарения вещества и толщины пленки. Пленки, наносимые с большой скоростью, обычно имеют мелкозернистую структуру. [7]
![]() |
Эмиссия электронов из металлической пленки в тонкий слой диэлектрика.| Диэлектрический диод ( а и транзистор ( б. [8] |
При изучении свойств тонких пленок, различных металлических и неметаллических материалов, используемых в микроэлектронике, были обнаружены новые интересные физические явления. Так, в двухслойной пленочной структуре, состоящей из тонких ( порядка 1 - 10 мкм) пленок металла и диэлектрика ( рис. 10.17), приконтактная область диэлектрика обогащается электронами, эмиттированными из металла. В массивных образцах диэлектрика эти узкие приконтактные области повышенной электропроводности практически не влияют на токовый режим. В тонких же пленках эмиттированные из металла в диэлектрик носители заряда существенно изменяют электропроводность диэлектрического слоя. [9]
Хорошо известно, что свойства тонкой пленки могут сильно отличаться от свойств массивного материала, особенно если толщина пленки очень мала. [10]
Некоторые факторы, влияющие на - свойства тонких пленок карбовак-са 20М, наносимых для дезактивации стеклянных капиллярных колонок. [11]
Эти данные по-казывают, что характер изменения свойств толстых и тонких пленок по толщине в процессе термостарения одинаков. [12]
Как было показано в ряде наших работ, свойства тонких пленок существенно отличаются от свойств объемной нефти. Однако влияние группового углеводородного состава нефти на толщину пленки изучено еще недостаточно. [13]
![]() |
Радиальное распределение электронной плотности для обычной воды ( 1, пленочной воды ( 2 и пленочной воды при меньшей толщине пленок ( 3. [14] |
За последнее время в лабораториях Иркутского университета обнаружен ряд замечательных свойств тонких пленок воды между пластинками слюды. [15]