Свойство - сегнетоэлектрик
Cтраница 1
Свойства сегнетоэлектриков аналогичны свойствам ферромагнитных материалов. Можно предположить, что отдельные области сегнетоэлектриков самопроизвольно поляризованы в определенных направлениях. При этом, если на них не действует внешнее поле, результирующие векторы поляризации соседних областей направлены противоположно один другому и поэтому внешне поляризованное состояние диэлектрика не проявляется. Под действием внешнего электрического поля поляризация отдельных областей перестраивается так, что области самопроизвольной поляризации оказываются ориентированными в направлении внешнего поля. Сегнетоэлектрики находят применение в конденсаторах с нелинейной характеристикой. [1]
Свойства сегнетоэлектриков объясняются следующим образом. Вследствие особенно сильного взаимодействия частиц объем кристалла сегнетоэлектрика подразделяется на отдельные макроскопические области - домены, которые самопроизвольно ( спонтанно) возникают в кристалле. [2]
Рассматривая свойства сегнетоэлектриков, мы считали кристалл бесконечно протяженным. [3]
Все эти свойства сегнетоэлектриков объясняются особенностями их внутреннего строения. Сегнетоэлектрик состоит из спонтанно ( самопроизвольно) поляризованных областей, которые назвали доменами. Векторы поляризации отдельных доменов в сегнетоэлектрике направлены различно, и кристалл в целом дипольным моментом не обладает. [4]
 |
Схематическое изображение петли гистерезиса сегнетоэлектриче-ского материала, OD - остаточная поляризация. [5] |
Все эти свойства сегнетоэлектриков объясняются особенностями их внутреннего строения. Сегнетоэлектрик состоит из спонтанно ( самопроизвольно) поляризованных областей, которые назвали доменами. Векторы поляризации отдельных доменов в сегнетоэлектрике направлены так, что вне его поле не наблюдается. Если сегнетоэлектрик внести во внешнее электрическое поле, то все домены повернутся по направлению этого поля. Сегнетоэлектрик частично сохраняет свою поляризацию и после удаления его из поля. [6]
Для описания свойств сегнетоэлектриков применяют термодинамическую теорию и динамическую теорию, рассматривающую поведение сегнетоэлектриков с позиций динамики кристаллической решетки. [8]
При рассмотрении свойств сегнетоэлектриков сразу же бросается в глаза некоторое сходство между ними и ферромагнетиками, с той лишь разницей, что у ферромагнетиков домены обладают не электрическим моментом, а магнитным. [9]
В них используется свойство сегнетоэлектрика менять величину диэлектрической проницаемости с изменением температуры. [10]
Начало работ по изучению свойств сегнетоэлектриков относится к 1921 г. и связано с именем чешского ученого Дж. В Советском Союзе И. В. Курчатовым были предложены термины сегнетоэлектрики и сегнетоэлектричество. За рубежом сегнетоэлектрики называются ферроэлектриками, ввиду того что сегнетоэлектрики формально являются электрическим аналогом ферромагнетиков. [11]
В физике диэлектриков задача объяснения свойств сегнетоэлектриков наталкивается на необходимость разработки теории сплавов диэлектриков. В молекулярной оптике для успешного объяснения хода рассеяния и поглощения света в жидких и твердых средах требуется знание молекулярных взаимодействий и структуры растворов. [12]
В физике диэлектриков задача объяснения свойств сегнетоэлектриков наталкивается на необходимость разработки теории сплавов диэлектриков. В молекулярной оптике для успешного объяснения хода рассеяния и поглощения света в жидких и твердых средах требуется знание молекулярных взаимодействий и структуры растворов. [13]
Например, SbSI является полупроводником, который при низких температурах имеет свойства сегнетоэлектрика. Соединения с общей формулой I-III-Vb и II-IV-V2 ( такие AgGaS2 и ZnSiP2) кристаллизуются в структуре халькопирита. Связь в этих соединениях также тетраэдрическая, и их можно считать аналогами полупроводников групп III-V и II-VI со структурой цинковой обманки. Соединения, образованные из элементов группы V и группы VI, с формулой такой же, у А828ез, являются полупроводниками как в кристаллической форме, так и в форме стекла. Многие из этих полупроводников обладают интересными свойствами, но еще не привлекли большого внимания вследствие своего ограниченного применения. Их существование показвает, что область физики полупроводников все еще имеет широкий простор для роста и расширения. [14]
В 50 - х годах были обнаружены вещества, хотя и обладающие свойствами, близкими к свойствам сегнетоэлектриков, но имеющие ряд существенных особенностей. [15]
Страницы: 1 2