Свойство - активный слой
Cтраница 1
Свойства активного слоя не столь хорошо изучены по сравнению со свойствами основного материала. Это объясняется тем, что для исследования его свойств требуется применение специальных инструментов и методик вследствие его малой толщины и значительного изменения свойств по толщине. [2]
Таким образом, выпрямительное действие вызвано свойствами светящегося активного слоя кристалла. [3]
В лазерах с ddou порог повышается вслед ствие ухудшения волноводных свойств активного слоя. Если ddou, то порог растет из-за уменьшения концентрации электронов и дырок в активной области. [4]
Наиболее распространен в промышленности термический метод, который позволяет широко менять состав и свойства активного слоя и обеспечивает хорошую адгезию к металлу подложки. [5]
Поэтому появление генерируемого излучения в активном слое диода уменьшает величину скачка диэлектрической проницаемости на границах активного, слоя и пассивных областей. Волновод-ные свойства активного слоя ухудшаются, генерируемая волна глубже проникает в пассивные области и больше тоглоща-ется. Короче говоря, коэффициент внутренних оптических потерь р, входящий как слагаемое в коэффициент потерь, возрастает с увеличением плотности генерируемого излучения. Этого предположения достаточно, чтобы получить режим незатухающих автоколебаний. [6]
Известны химические, гальванические и термические способы получения композиционных анодов. Наиболее технологичным является термический метод, который позволяет широко варьировать состав и свойства активного слоя и обеспечивает хорошую адгезию к металлу подложки. По этому методу на токопроводящую основу анода наносится раствор или суспензия, содержащие компоненты активного слоя в виде солей, а затем нагревается, как правило, до 400 - 500 С. Многократным повторением этой операции добиваются получения активного слоя нужной толщины. В качестве подложки обычно используют вентильные металлы: тантал, цирконий, ниобий, чаще всего титан. [7]
Тепло передается никелевому цилиндру и разогревает активный слой, который выделяет атомарный слой металлического бария, являющегося источником свободных электронов. Максимальный ток эмиссии, который может отдать катод, зависит от его температуры, свойств активного слоя и площади. [8]
При моделировании износа на микроуровне объектом исследования является активный слой. Моделирование износа включает в себя определение момента зарождения трещины и траектории ее развития вплоть до отделения частицы материала, вынос отделившихся частиц из зоны трения, а также описание изменения поверхностной микрогеометрии и свойств активного слоя при его разрушении. [9]
Внутри активного слоя может происходить фотоэлектрический эффект. Источником фотоэлектронов является пограничная поверхность толщи. При большом частичном сошлифовывании - при остатке активного слоя толщиною v - l мкм - наблюдается особенно большая фо-тоэдс, до 3.4 в. Особый активный слой найден также у кристаллов свинцового блеска и кристаллов купросиликоалю-миния. Существование участка тока насыщения и падающего участка у характеристики свинцового блеска может быть отнесено также за счет свойств активного слоя. [10]
Страницы: 1