Свойство - полупроводниковый триод
Cтраница 1
 |
Структура точечного триода. [1] |
Свойства полупроводниковых триодов отображают их статические характеристики. [2]
 |
Зависимость от длины волны. [3] |
Известно ( с этим нам придется встретиться при описании свойств полупроводниковых триодов), что на поверхности рекомбинация носителей тока происходит легче, чем внутри кристалла. Продолжительность жизни носителей тока в приповерхностном слое может быть очень мала, и влияние освещения на проводимость в этих условиях сделается слабым. [4]
Специфика работы и методов расчета стационарных режимов в подобных системах с учетом свойств полупроводниковых триодов приводит к ряду заключений, существенно новых по сравнению с результатами изучения подобных же схем с электронными лампами. [5]
Однако в схемах такое быстродействие не достигнуто, так как оно ограничивается не свойствами полупроводниковых триодов, а постоянными времени самих схем. [6]
Использование и в этом случае метода поэтапного рассмотрения позволило проанализировать основные вопросы, относящиеся к действию этих схем, и оценить влияние свойств полупроводниковых триодов на важнейшие характеристики всего устройства в целом ( разрешающая способность, устойчивость и пр. [7]
Ламповые умножители частоты нами рассмотрены в гл. Оче видно, что в диапазоне сравнительно низких частот где инерцион ные свойства полупроводниковых триодов ( транзисторов) проявля ются еще не очень заметно, можно в качестве умножителей использовать схемы на транзисторах, подобные схемам ламповых умножи телей. [8]
Вырезанные из монокристалла германия или кремния пластинки шлифуют и травят до необходимой толщины. Эти операции являются ответственными, так как получающаяся после вплавления эмиттера и коллектора толщина базы зависит от толщины исходной пластинки, а свойства полупроводникового триода в значительной степени зависят от толщины базы. Поэтому перед вплавлением переходов толщину пластинок тщательно контролируют. [9]
Нормальная работа оборудования во многом зависит от состояния течек. Для контроля прохождения материала через течки на предприятиях строительных материалов и в горнорудной промышленности применяют различные индикаторы забивания течек. В основу работы индикатора, показанного на рис. XI 1.8, положено свойство полупроводниковых триодов, включенных в схему с общим коллектором, менять выходное сопротивление при изменении входного в момент попадания материала между контактными штырями, которые установлены на заданном уровне. Схема включает две идентичные и независимые части, что позволяет контролировать прохождение сырья одновременно через две различные течки. В общем случае работают четыре контрольных штыря - по два в каждой контролируемой течке. [10]
Лавинное умножение в коллекторном переходе приводит к увеличению как дырочной, так и электронной составляющих тока коллектора. Рост дырочной составляющей тока не изменяет существенно процессов, происходящих в триоде. Увеличение электронной составляющей тока коллектора вызывает увеличение концентрации основных носителей в области базы. Как мы увидим ниже, это явление может существенно повлиять на свойства полупроводникового триода. [11]
Если сопротивление нагрузки достаточно велико, амплитуда импульса напряжения будет определяться суммарной емкостью нагрузки и выходной емкостью самого детектора С. Если т С КС ( что необходимо для полного сбора заряда), импульс напряжения за время т достигает значения q / C, а затем спадает по экспоненте с постоянной времени RC. Для получения максимальной амплитуды импульса, естественно, необходимо минимальное значение емкости и возможно большее входное сопротивление. Одновременно надо учитывать и то обстоятельство, что детекторы могут быть удалены от регистрирующей схемы, и согласующее устройство должно обладать низким выходным сопротивлением. Всем этим требованиям лучше всего удовлетворяет эмит-терный повторитель, который и нашел наиболее широкое применение в качестве входного каскада. Однако, учитывая особенности свойств полупроводниковых триодов, для обеспечения удовлетворительных характеристик приходится принимать специальные меры. [12]
Страницы: 1