Cтраница 2
ЯНр порядка нескольких микрон), что позволяет их использовать в качестве датчиков инфракрасного излучения. По мере укорочения длины волны от ХКР фотоэффект более или менее быстро затухает из-за усиленного поглощения света в поверхностном слое. Распространенные типы отечественных фоторезисторов изготовляются из сернистого свинца, сернистого кадмия и селенида кадмия. Они отличаются чрезвычайно высокой чувствительностью. Свойства фоторезисторов не зависят от полярности приложенного напряжения, что позволяет включать их в цепь переменного тока. Фоторезисторы обладают существенной инерционностью, ограничивающей ЮЕ применение контролем сравнительно медленных изменении освещенности. [16]