Cтраница 1
Свойства гетеропереходов делают их весьма перспективными при разработке различных типов приемников излучений, диодов, новых типов транзисторов, твердых схем. [1]
Ими были исследованы свойства подобных гетеропереходов. [2]
На самом деле свойства гетероперехода определяются другими причинами: локальным фиксированием уровня Ферми на границе раздела ( обусловленным химической активностью компонентов гетерострукту-ры, заряженными пограничными состояниями и диполями); дефектной структурой вблизи границы раздела и преимущественной сегрегацией атомов легирующей примеси и других примесных атомов; наличием промежуточных изолирующих слоев, образованных при изготовлении гетероперехода, которые могут содержать захваченный заряд и выполнять роль буферных слоев в компенсации несоответствия параметров решеток материалов, входящих в состав гетероструктур. [3]
Дополнительную информацию о свойствах гетеропереходов возможно получить, исследуя их емкостные характеристики. В работе [6] для вывода вольт-емкостной характеристики использовалась модифицированная теория, развитая для гомоперехода. При этом предполагалось, что в обеих полупроводниковых областях концентрации примесей остаются постоянными вплоть до границы раздела. [4]
Микроструктура пленок Cu2S и CdS оказывает существенное влияние на свойства гетероперехода и фотоэлектрические характеристики солнечных элементов типа Cu2S - CdS. Несколькими исследователями были предприняты попытки установить количественную взаимосвязь между параметрами микроструктуры и наблюдаемыми фотоэлектрическими характеристиками элементов. [5]
На основании электрических и структурных измерений, проведенных в ряде работ, можно сделать вывод, что определяющее влияние на свойства гетеропереходов оказывают несовершенства границы раздела между двумя материалами. Причем несовершенство границы проявляется либо в образовании значительного количества собственных дефектов, либо в скоплении на границе раздела большого количества посторонних примесей, которые могут даже образовывать промежуточный химический слой. Возможно также размытие гетероперехода за счет взаимной диффузии материалов или примесей. [6]
Солнечные элементы с гетеропереходом Cu2S - CdS привлекают внимание благодаря реальной возможности их широкого применения в качестве наземных фотоэлектрических преобразователей энергии; кроме того, изучение свойств гетероперехода представляет значительный научный интерес. [7]
Типичными примерами являются переходы AlGaAs - GaAs, GaAsP - GaAs, GaAsP-GaP, InP-GalnAs. Отличия свойств гетеропереходов от переходов в монокристаллах ( гомопереходов) вытекают из энергетических диаграмм. На рис. 2.28, а показаны энергетические диаграммы обоих полупроводников в отдельности при одном и том же уровне начала отсчета энергий. Разность энергий потолка валентной зоны выражается через A. На рис. 2.28 6 показана энергетическая диаграмма гетероперехода. На металлургической границе х0 образуются разрывы границ зон, равные ДЯП и Д.в. Изгибы границ зон вблизи х0 связаны с образованием обедненных слоев толщиной L0on и L06p, содержащих объемные заряды ионов доноров и акцепторов. [8]
Мы кратко рассмотрели принцип действия р-п-перехода в гомогенном по составу полупроводнике. Энергетическая зонная модель и инжекционные свойства гетероперехода, а также область применения его определяются опять же условиями изготовления. Успехи в этой области связаны прежде всего с успехами физико-химии и технологии эпитаксиального выращивания кристаллов. [9]
Выращивание слоев одного полупроводника на пластинах другого осуществляется при относительно высоких температурах. При этом может происходить диффузия примесей из одного полупроводника в другой, изменение исходных типов электропроводности, искажение теоретических энергетических диаграмм и соответственно изменение свойств гетероперехода. [10]
Интересно, что более ( ранний метод предсказания разрыва зон проводимости - путем вычитания значений электронного сродства ( см. работу Андерсона [266]) эквивалентен предсказанию разрыва валентных зон путем вычитания значений порога фото-эми С сил. Линейная зависимость (10.6) указывает на то, что данный метод должен давать довольно хорошие результаты, хотя он и приводит к заметным ошибкам при анализе свойств гетероперехода между гомешмярным и ионным полупроводниками. Френели и Крем ер [267] предложили использовать для этих целей также метод, псевдопотетшала. [11]
При температурах выращивания взаимная диффузия может проявляться слабо или сильно. В первом случае диффузионный перенос материала вызывает изменения лишь степени легирования. Здесь примером может служить диффузия Си и CdS при изготовлении гетероперехода CuxS-CdS; степень легирования CdS медью в этом случае определяет свойства гетероперехода. [12]