Объемное свойство - вещество
Cтраница 1
Объемные свойства веществ изучаются физической химией. Для ПАВ наиболее значимыми являются поверхностные свойства, составляющие предмет изучения коллоидной химии. [1]
 |
Фундаментальное уравнение для воды и выводимые из него термодинамические функции. [2] |
В конечном итоге объемные свойства веществ определяются свойствами составляющих их молекул и особенностями взаимодействия последних. Рассмотрением свойств веществ с таких позиций занимается статистическая термодинамика, и в данном разделе обсуждаются некоторые результаты этих исследований, имеющие отношение к уравнениям состояния. [3]
 |
Фундаментальное уравнение для воды и выводимые из него термодинамические функции. [4] |
В конечном итоге объемные свойства веществ определяются свойствами составляющих их молекул и особенностями взаимодействия последних. Рассмотрением свойств веществ с таких позиции занимается статистическая термодинамика, и в данном разделе обсуждаются некоторые результаты этих исследований, имеющие отношение к уравнениям состояния. [5]
Для этого безразмерный параметр, выражающий объемные свойства вещества - коэффициент сжимаемости - z - выражают в виде функции некоторого числа безразмерных комплексов, образованных наиболее важными величинами, определяющими межмолекулярное взаимодействие. [6]
Если рассматривать жидкости, у которых силовое поле во всех направлениях одинаково ( парафиновые углеводороды, бензол, че-тыреххлористый углерод) и граничащие фазы не смешиваются, то поверхностное натяжение таких жидкостей должно зависеть только от межмолекулярных сил, оцененных по объемным свойствам вещества. В этом случае оно определяется только разностью полярностей фаз, которая является функцией диэлектрической проницаемости. [7]
Принцип соответственных состояний связан с силами межмолекулярного взаимодействия. С позиций статистической физики объемные свойства веществ, описываемые уравнением состояния, определяются межмолекулярным взаимодействием частиц. Свойства, определяющиеся межмолекулярными силами, часто называют конфигурационными свойствами, поскольку они зависят от взаимного расположения ( конфигурации) молекул в системе. [8]
Характер распределения засветки на приведенных фотоснимках устойчиво воспроизводится при многократной записи на одних и тех же образцах при переполировке их поверхностей. Таким образом, наблюдаемые на фотографиях ИК пропускания неоднородности связаны с объемными свойствами вещества. Хорошо известно также, что электрические, фотоэлектрические и прочие свойства полупроводников связаны с макрооднородностью структуры последних. Таким образом, неоднородное распределение засветки на полученных фотоснимках уже само по себе свидетельствует о возможности осуществления контроля качества полупроводниковых материалов рассмотренным методом. [9]
Многие магнитные явления представляют интерес для химии. К наиболее известным из них относятся магнитная восприимчивость и связанные с ней явления, а также различные типы магнитного резонанса. Магнитная восприимчивость является объемным свойством вещества. Она, а также такое молекулярное свойство, как магнитный момент, характеризуют взаимодействие вещества с магнитным полем. Вещество, обладающее диамагнитными свойствами, выталкивается из магнитного поля. Это слабый эффект, который возникает при движении электрических зарядов в системе. Вещество с парамагнитными свойствами втягивается в магнитное поле. Этот эффект зависит от наличия магнитного момента у атомов или молекул вещества. Существуют также орбитальные вклады в атомные и молекулярные магнитные моменты, но обычно эти вклады очень малы. [10]
Даже в макроскопически однородной системе локальное окружение молекул, расположенных на расстоянии г с от границы, отличается от окружения молекул, находящихся в объеме вещества. Переход к термодинамическому пределу приводит к неправильному описанию поведения этих молекул. Однако такие поверхностные пленки не влияют на объемные свойства вещества и здесь рассматриваться не будут. [11]
Как это следует из экспериментов по определению электронной плотности, основой структуры веществ с тетраэдрическим расположением атомов является электронная решетка, образованная тетраэдрически расположенными мостиками, составленными из спаренных валентных электронов. Мостики более или менее размыты, в зависимости от атомного веса входящих в соединения элементов ( или от их главного квантового числа) и более или менее симметричны ( в отношении распределения электронной плотности вдоль мостика) в зависимости от различий в электросродстве единиц, заполняющих узлы решетки. Такими единицами являются остовы атомов, лишенные валентных электронов. Таким образом, электронная решетка есть результат взаимодействия атомов, остовы которых расположены в узлах решетки. Объемные свойства веществ данной кристал-лохимической группы определяются параметрами электронной решетки и остовов атомов. О деталях строения электронной решетки приходится судить главным образом на основании косвенных данных, точно известны только квантовые числа атомов. Что касается остовов атомов, то их можно характеризовать ионизационными потенциалами. [12]
Как это следует из экспериментов по определению электрон ной плотности, основой структуры веществ с тетраэдрическим расположением атомов является электронная решетка, образованная тетраэдрически расположенными мостиками, составленными из спаренных валентных электронов. Мостики более или менее размыты, в зависимости от атомного веса входящих в соединения элементов ( или от их главного квантового числа) и более или менее симметричны ( в отношении распределения электронной плотности вдоль мостика) в зависимости от различий в электросродстве единиц, заполняющих узлы решетки. Такими единицами являются остовы атомов, лишенные валентных электронов. Таким образом, электронная решетка есть результат взаимодействия атомов, остовы которых расположены в узлах решетки. Объемные свойства веществ данной кристал-лохимической группы определяются параметрами электронной решетки и остовов атомов. О деталях строения электронной решетки приходится судить главным образом на основании косвенных данных, точно известны только квантовые числа атомов. Что касается остовов атомов, то их можно характеризовать ионизационными потенциалами. [13]
Страницы: 1