Электрическое оптическое свойство

Cтраница 3

Многие твердые вещества при облучении ионизирующим излучением изменяют свои механические, электрические и оптические свойства. Измерения этих изменений и служат мерой поглощенной энергии. Часто применяют дозиметры изготовленные из неорганического стекла, различных кристаллов, пленки поливинилхлорида или плексигласа. Кроме того, для дозиметрических целей может служить уменьшение среднего молекулярного веса плексигласа и уменьшение флуоресценции пластмассовых сцинтил-ляторов. [31]

Кристаллические тела обычно анизо -, тропны, их механические, тепловые, электрические и оптические свойства в разных направлениях не одинаковы. Одно и то же кристаллическое вещество может находиться в нескольких модификациях, обладающих неодинаковой структурой. [32]

В жидком состоянии ( расплаве) металлы полностью сохраняют свои электрические и оптические свойства. В расплаве сохраняется примерно такое же взаимное расположение атомов, как и в твердом состоянии. [33]

Типичная схема образования энергетических зон. Дискретные уровни. [34]

Наличие запрещенных и разрешенных зон является основным фактором, определяющим электрические и оптические свойства твердых тел. [35]

В табл. 3.4 и 3.5 суммированы некоторые полезные данные об электрических и оптических свойствах металлических пленок, применяемых в солнечных элементах. [36]

Эти процессы определяют и физическое состояние вещества ( химический состав, электрические и оптические свойства), приводят к свечению и многим важным оптическим эффектам. [37]

Характеристики различных солнечных элементов при освещении в условиях АМ-1 ( 100 мВт / см2.| Характеристики солнечных элементов. [38]

Предполагается, что такая многослойная структура предотвращает диффузию индия и не снижает электрические и оптические свойства контакта в целом. На рис. 5.1.17 показано распределение олова и индия в двух образцах со структурой р a - SiC: H ( 100 А) / 8п02 / 0Ж ( 1000 А), в которых толщина Sn02 составляла 100 и 400 А. Из приведенных на рисунке данных следует, что при толщине слоя Sn02 400 А диффузия индия в р-слой полностью блокируется, в то время как при толщине слоя Sn02 100 А наблюдается незначительное содержание индия в р-слое. Для достижения высоких свойств достаточным является изменение толщины контакта от 200 до 400 А. [39]

Характеристики различных солнечных элементов при освещении в условиях АМ-1 ( 100 мВт / см2.| Характеристики солнечных элементов. [40]

Предполагается, что такая многослойная структура предотвращает диффузию индия и не снижает электрические и оптические свойства контакта в целом. На рис. 5.1.17 показано распределение олова и индия в двух образцах со структурой р a - SiC: H ( 100 А) / 8п02 / 0Ж ( 1000 А), в которых толщина SnO2 составляла 100 и 400 А. Из приведенных на рисунке данных следует, что при толщине слоя Sn02 400 А диффузия индия в р-слой полностью блокируется, в то время как при толщине слоя Sn02 100 А наблюдается незначительное содержание индия в р-слое. Для достижения высоких свойств достаточным является изменение толщины контакта от 200 до 400 А. [41]

Покрытие, обычно толщиной от 0 1 до 2 мкм, изменяет электрические и оптические свойства металлизированной пленки, повышает паро - и газонепроницаемость, но ухудшает термосвариваемость. [42]

Зависимость удельного сопротивления р радикала а и - дифенил - 3-пикрилгидразила от давления Р. [43]

Наряду с эффектами ориентации и кристалличности было исследовано также влияние давления на электрические и оптические свойства органических полупроводников. [44]

Нижегородской радиолабораторяи, где им был выполнен ряд ставших классическими исследований по электрическим и оптическим свойствам полупроводников и контактным явлениям. [45]

Страницы: 1 2 3 4