Cтраница 2
Скалярными являются очень немногие физические свойства кристаллов. [16]
Влияние водородных связей на физические свойства кристаллов проявляется весьма отчетливо в щавелевой кислоте. Одна из них, а-форма, содержит слои молекул, соединенных между собой водородными связями. [17]
Дефекты влияют на многие физические свойства кристаллов. Различают точечные дефекты, роль которых играют примесные атомы, и собственные точечные дефекты, например вакантные узлы решетки или атомы в междоузлиях, и линейные дефекты - дислокации, а также двумерные дефекты - границы зерен. Для исследования влияния дефектной структуры кристаллов на их свойства необходимо приготовить материал, предельно свободный от различных несовершенств. Из него затем можно получить кристаллы с известным и достаточно точно дозированным количеством дефектов. Таким образом, первыми возникают проблемы очистки кристалла от примесных атомов и устранения в нем собственных дефектов, концентрация которых превышает термодинамически равновесную. [18]
Энантиоморфизм проявляется в некоторых физических свойствах кристаллов, например, в возникновении оптической активности. Кристаллы правого и левого кварца различаются знаком направления вращения плоскости поляризации. Смеси одинакового количества правых и левых молекул, называемые рацематами, не проявляют оптической активности. [19]
Дефекты оказывают сильное влияние на физические свойства кристаллов, в том числе и на их прочность. В частности, дислокации служат причиной того, что пластическая деформация) реальных кристаллов происходит под воздействием напряжений на несколько порядков меньших, чем вычисленное для идеальных кристаллов. [20]
Ионная модель позволяет понять некоторые физические свойства кристаллов. [21]
Зонная теория, хорошо описывающая многие физические свойства кристаллов, довольно часто используется для объяснения тонкой структуры рентгеновских полос эмиссии и поглощения. Однако такой подход требует дополнительной информации относительно доли участия в переходах электронов s -, p - или d - симметрии. Кроме того, необходимо принять условие, по которому спектры испускания обязаны переходам только из занятых состояний. [22]
Иначе говоря, элементы симметрии каждого физического свойства кристалла должны включать в себя элементы макроскопической симметрии кристалла, или, точнее, группа симметрии любого физического свойства кристалла должна включать в себя точечную группу симметрии самого кристалла. Это положение известно как основной закон кристаллофизики, или принцип Нейманна. [23]
Универсальность связи между критической точкой и физическими свойствами кристаллов обусловлена возникновением сингулярности в свободной энергии, сопровождающейся скачкообразным изменением параметра порядка. [24]
Существует зависимость между величиной энергии кристаллической структуры и физическими свойствами кристаллов; чем больше энергия, тем выше твердость, больше температуры плавления и кипения и меньше коэффициедты сжимаемости и теплового расширения. Энергия кристаллической структуры является мерой устойчивости соединений, так как определяется теплотой образования данного вещества. Устойчивыми будут соединения, при образовании которых выделяется наибольшее количество энергии. [25]
Кристаллические тела в отличие от аморфных отличаются анизотропией свойств - физические свойства кристалла неодинаковы по различным направлениям. Прежде всего это относится к механической прочности кристалла: кристаллы легче всего раскалываются по определенным плоскостям. [26]
Рассматривается влияние характера и энергии межатомного взаимодействия на структуру и физические свойства кристаллов. Изучаются факторы, определяющие термодинамические свойства и их температурные зависимости. Разбирается влияние некоторых параметров на форму частотного спектра на примере кристаллов со структурой алмаза. Рассматривается вопрос об определении упругих констант как производных энергии кристалла через функции распределения электронной плотности, представленные различными аппроксимациями. [27]
По геометрическим, физическим и химическим свойствам граней и по внутренним физическим свойствам кристалла ( спайность, оптические свойства и др.) установить, какие из граней равны друг другу, какой симметрией они обладают и какими элементами симметрии связаны друг с другом. [28]
Кристаллофизика тесно связана с кристаллохимией и учением о росте кристаллов, потому что физические свойства кристалла зависят от типа структуры и частиц, составляющих эту структуру, а также от условий роста. [29]
Во многих работах последних лет [1,8-10] указано, что косвенное влияние дислокаций на физические свойства кристаллов полупроводников типа A111 Bv оказывается даже более существенным, чем их прямое действие. [30]