Cтраница 4
С германием, оловом и свинцом теллур образует соединения типа / jivgvi c важными для техники выпрямительными и фотоэлектрическими свойствами. В соответствующих системах образуются экви-атомиые соединения / 4IV Те-моиотеллуриды. [46]
Используемый в полупроводниковой технике для напыления стибнит неизбежно содержит незначительные количества окислов сурьмы, которые существенным образом влияют на фотоэлектрические свойства тонких напыленных слоев. До настоящего времени в литературе отсутствуют какие-либо сведения относительно общего содержания кислорода в исходном и напыленном стибните, не разработаны достаточно чувствительные методы, пригодные для определения кислорода в напыленных слоях из микронавесок ( 5 - 10 мг), а также нет никаких указаний относительно состава соединений, в виде которых кислород может входить в напыленный слой. По данным В. И. Верцнера [1], полученным с помощью рентгеноструктурного анализа, поверхность напыленного слоя стибнита содержит мономолекулярную пленку окиси. Есть, однако, основания предполагать, что и более глубоко лежащие слои стибнита могут содержать связанный кислород. Последнее разлагается при температуре 520 С на Sb2Ss и жидкую фазу - раствор 8Ь20з 8Ь2 § з, смешивающихся во всех отношениях. [47]
Наиболее плодотворным оказалось первое направление, так как оба подобных PbS соединения свинца, PbSe и РЬТе, оказались обладающими весьма интересными фотоэлектрическими свойствами: протяженность спектральной кривой для них в сторону длинных волн оказалась значительно большей, чем у PbS ( до - 9 мк у PbSe и до - 7 мк - у РЬТе), а постоянная времени и соответственно инерция меньше. [48]
Возникновение последней как результата своего рода оптической сенсибилизации связано с электронодонорной функцией примесных центров, что подтверждается данными об их фотоэлектрических свойствах и фотохимической лабильности. [49]
Анализ данных по фотопроводимости многих ароматических кристаллических твердых веществ, описанных в литературе и полученных в нашей лаборатории, показывает, что фотоэлектрические свойства определяются как примесными факторами, так и молекулярной структурой кристаллов. Экспериментальные результаты для молекулярных кристаллов, в которых высока вероятность перехода из первого возбужденного синглетного состояния в низшее триплет-ное состояние, не подтверждает вывода, сделанного в числе других Розенбергом и недавно Вилком о том, что триплетное состояние обязательно включается в процесс фотопроводимости. Изучение высокочувствительных кристаллов, молекулы которых проявляют малую флуоресценцию или совсем не флуоресцируют в чистом состоянии, но флуоресцируют в разбавленном растворе нейтрального растворителя, приводит к выводу, что межмолекулярное тушение энергии оптического возбуждения в кристалле способствует образованию носителей заряда. [50]
Вторая, причем большая по объему, часть содержит около 20 статей, написанных в 1932 - 1960 гг. Эти статьи посвящены общим проблемам физики полупроводников, их фотоэлектрическим свойствам, тепло - н электропроводности полупроводников, контактным явлениям в них и основам полупроводниковой теплоэнергетики. [51]
При введении добавок СиС12 в количестве 0 0008 е-молъ / г-молъ CdS ( это количество обычно применяется для приготовления фото-проводящих порошков [1]) не было обнаружено влияния меди на фотоэлектрические свойства пленок. [52]
Во второй части книги мы предварительно кратко изложим основные представления об электронной структуре молекул органических соединений с сопряженными связями, а затем перейдем к описанию имеющегося экспериментального материала по электрическим и фотоэлектрическим свойствам низкомолекулярных органических полупроводников. [53]